处理中...

首页  >  产品百科  >  VBA3316

VBA3316

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SO-8
供应商型号: 14M-VBA3316 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA3316

VBA3316概述

    VBA3316 双沟道N沟道30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBA3316 是一款由VBsemi公司生产的双沟道N沟道30V(D-S)MOSFET。它采用TrenchFET技术,能够提供高效可靠的电源管理解决方案。这款MOSFET主要用于笔记本系统电源管理和低电流直流/直流转换器,适用于多种消费电子和工业控制应用。

    技术参数


    以下是VBA3316的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 源漏电流 | ID | - | 8.5 | 8.5 | A |
    | 体二极管正向电压 | VSD | 0.77 | - | 1.1 | V |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) | 0.016 | - | 0.020 | Ω |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | 1 | 10 | μA |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.2 | - | 2.5 | V |
    | 门电荷 | Qg | - | 14.5 | 22 | nC |
    | 静态漏极-源极击穿电压 | VDS | - | 30 | V |
    工作条件
    - 最大连续漏极电流(TJ = 150°C):8.5 A
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻抗:RthJA 52 °C/W

    产品特点和优势


    VBA3316具有以下独特功能和优势:
    1. TrenchFET技术:提供更高的效率和更低的导通电阻,减少发热和提高可靠性。
    2. 100% Rg测试和100% UIS测试:确保产品的质量和可靠性。
    3. RoHS合规:符合欧洲RoHS指令要求,满足环保标准。
    4. 低导通电阻:RDS(on)低至0.016Ω(在VGS = 10V时),适合高性能电源管理需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 笔记本系统电源:适用于需要高可靠性的电源管理系统。
    - 低电流直流/直流转换器:在电池供电设备中广泛应用。
    使用建议
    1. 散热设计:由于热阻抗较高,建议增加散热措施,如使用散热片或散热器。
    2. 电路布局:合理布局PCB走线,尽量缩短电源路径,减少寄生电感。

    兼容性和支持


    VBA3316采用SO-8封装,易于焊接和安装。VBsemi提供详细的技术支持文档和售后服务,包括常见问题解答和技术咨询。该产品可与多种电子元器件和设备兼容,用户可以在官方技术支持网站上获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下电流降低:可能是由于过热保护机制启动。检查散热设计,确保良好的热管理。
    2. 导通电阻异常:检查是否超过最大额定电流,避免损坏。
    3. 漏电流过大:检查是否超过最大额定电压,确保正确接线。

    总结和推荐


    VBA3316是一款高性能的双沟道N沟道30V MOSFET,具备优秀的耐温性能和低导通电阻,适用于笔记本系统电源和低电流直流/直流转换器等多种应用场景。结合其出色的可靠性和兼容性,非常适合作为高性能电源管理器件选择。强烈推荐在相关项目中使用VBA3316,以获得最佳的性能和稳定性。

VBA3316参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 8.5A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBA3316厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA3316数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBA3316 VBA3316数据手册

VBA3316封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.8351
库存: 200
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 4.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336