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NDP6060L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V);TO220
供应商型号: 14M--NDP6060L TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDP6060L

NDP6060L概述

    NDP6060L-VB N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDP6060L-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其漏源电压 VDS 额定为 60 V,具有多种优势特性。该器件适用于广泛的工业、消费类电子产品以及汽车领域中的开关电源、电机驱动器和电池管理系统等应用。其关键特性包括无卤素设计、表面贴装、符合 RoHS 指令,以及逻辑级门驱动能力。

    技术参数


    以下是 NDP6060L-VB 的主要技术规格和参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 2.5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.024 | 0.028 | - | Ω |
    | 连续漏电流 | ID | - | 50 | 36 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | 200 | A |
    | 峰值二极管恢复 dV/dt | dV/dt | - | 4.5 | - | V/ns |
    | 集成体二极管反向恢复时间 | trr | - | 130 | 180 | ns |
    | 集成体二极管反向恢复电荷 | Qrr | - | 0.84 | 1.3 | μC |

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:根据 IEC 61249-2-21 定义,符合无卤素标准。
    - 快速开关:具有动态 dV/dt 评级和快速开关特性,适合高频应用。
    - 逻辑级门驱动:能够使用低电压进行门驱动,简化电路设计。
    - 符合RoHS指令:适用于绿色环保的应用需求。

    应用案例和使用建议


    NDP6060L-VB 可广泛应用于直流至直流转换器、开关电源、马达驱动器和电池管理系统等。例如,在开关电源中,其快速开关能力和低导通电阻可以显著提高效率并减少热损耗。对于电池管理系统,其高集成度和紧凑封装有助于节省空间,同时提供可靠的保护功能。
    使用建议:
    - 确保电路板上的安装位置远离热源以避免温度过高。
    - 使用低阻抗电源线以减少功率损耗。
    - 在电路设计时考虑低杂散电感布局,以提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    NDP6060L-VB 可以与常见的 PCB 和 SMT 设备兼容,用于批量生产。供应商提供了详细的使用手册和技术支持,以帮助用户优化电路设计和确保产品质量。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定合适的门驱动电压?
    - 答:参考产品规格中的 VGS(th) 参数,通常逻辑级门驱动电压 VGS 为 5 V。

    2. 问:如何测量最大漏电流 IDM?
    - 答:在规定的脉宽和占空比条件下进行测试,参考手册中的图 11 和图 12。

    总结和推荐


    NDP6060L-VB N-Channel MOSFET 是一款性能优异的产品,具备无卤素、快速开关和逻辑级门驱动等特性,非常适合在高频开关电源、电机驱动器和电池管理系统等领域应用。其高集成度和可靠性能使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在相关项目中使用此产品,以实现高效、可靠的电力管理和转换。
    服务热线:400-655-8788

NDP6060L参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDP6060L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDP6060L数据手册

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NDP6060L封装设计

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