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PMN50XP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-PMN50XP SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PMN50XP

PMN50XP概述

    PMN50XP-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    PMN50XP-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于负载开关等应用场合。这款产品具备30V的最大漏源电压(VDS),是一款高性能的功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和出色的热性能。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):最大值为30V。
    - 栅源电压(VGS):±20V。
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):最大值为-4.8A(25°C),-4.1A(70°C)。
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为-20A。
    - 最大耗散功率(PD):25°C时为3.0W,70°C时为2.0W。
    - 工作温度范围(TJ):-55°C到150°C。
    - 热阻抗(RthJA):典型值为55°C/W,最大值为62.5°C/W。
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = -10V时,最大值为0.049Ω(ID = -4.1A),在VGS = -4.5V时,最大值为0.054Ω(ID = -4.1A)。

    产品特点和优势


    1. 环保设计:PMN50XP-VB符合IEC 61249-2-21标准,属于无卤素材料,符合欧盟RoHS指令要求,适用于环保和安全要求严格的场合。
    2. 高效性能:采用先进的TrenchFET®技术,能够提供更低的导通电阻(RDS(on)),从而降低功耗和提高效率。典型值为0.049Ω(VGS = -10V,ID = -4.1A),0.054Ω(VGS = -4.5V,ID = -4.1A)。
    3. 出色的热性能:具有较低的热阻抗(RthJA = 55°C/W),能够在高温环境下稳定运行。同时,具备出色的瞬态热阻抗性能,确保长时间工作的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关:广泛应用于电源管理、电池充电和保护电路等场景。例如,在电动汽车充电桩中,可以用于控制充电电流和电压。
    使用建议:
    - 散热设计:在使用PMN50XP-VB时,需要充分考虑散热问题。建议通过增加散热片或使用散热底座来提高散热效果。
    - 驱动电路设计:为了优化性能,建议采用合适的驱动电路设计。可以通过调整栅极电阻(Rg)来改善开关速度和减少开关损耗。

    兼容性和支持


    兼容性:PMN50XP-VB与大多数标准电路板兼容,适用于常见的表面贴装技术(SMT)工艺。
    支持和服务:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    常见问题与解决方案


    1. 寿命短
    - 解决方案:确保散热设计合理,避免长时间过载工作。
    2. 开关损耗高
    - 解决方案:优化驱动电路设计,适当减小栅极电阻(Rg)以降低开关速度。
    3. 效率低
    - 解决方案:确保选用正确的栅极驱动电压(VGS),并保持良好的散热条件。

    总结和推荐


    综合评估:
    - PMN50XP-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,具有出色的导电性能、高效能和优良的热性能。尤其适合于高可靠性要求的应用场景。
    推荐:
    - 强烈推荐给对可靠性、性能和环保有较高要求的设计工程师和制造商。PMN50XP-VB能够满足多种应用场景的需求,并提供良好的技术支持和服务。

PMN50XP参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4.8A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMN50XP厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PMN50XP数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PMN50XP PMN50XP数据手册

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