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2SJ355

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -30V -7.6A 50mΩ@-10V SOT89-3
供应商型号: 14M-2SJ355 SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ355

2SJ355概述


    产品简介


    2SJ355-VB P-Channel 30-V MOSFET
    2SJ355-VB 是一种高性能的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。这款MOSFET主要用于负载开关和电池切换等领域。它的主要特点包括采用TrenchFET® 技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压特性,适用于各种严苛的应用环境。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | VGS = -10 V | 0.000 | 0.0 | 7.0 | Ω |
    | 源漏电压 (VDS) - | -30 | - | V |
    | 源漏电流 (ID) | TJ = 150 °C | - | -7.6 | - | A |
    | 体二极管正向电压 (VSD) | IS = -5.6 A, VGS = 0 V | -0.71 | -1.2 | - | V |
    | 体二极管反向恢复时间 (trr) | IF = -5.6 A, dI/dt = 100 A/µs, TJ = 25 °C | 22 | 33 | ns |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 2SJ355-VB 在栅源电压 VGS = -10 V 时的导通电阻仅为 0.0 Ω,这使得它在负载开关应用中能够显著降低功耗并提高效率。

    2. 高耐压特性: 具有高达 -30 V 的耐压能力,适用于多种高压应用。

    3. TrenchFET® 技术: 采用了先进的TrenchFET技术,实现了更低的导通电阻和更好的热性能,从而提高了可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关: 在电源管理模块中用于控制电路的接通与断开。
    - 电池切换: 在便携式电子设备中用于管理电池供电系统的切换。
    使用建议:
    - 散热设计: 尽管该MOSFET具备较好的热性能,但在大功率应用中仍需注意散热设计,以避免因温度过高导致性能下降。
    - 栅极驱动: 在使用过程中,需要确保栅极驱动电压不超过±20 V,以免损坏内部电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 2SJ355-VB 主要采用SOT89封装,适用于大多数标准电路板。它与其他标准电子元器件具有良好的兼容性,方便集成到现有的电路系统中。
    - 支持: VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详尽的技术文档和专业的客户服务团队,以帮助客户解决在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确保栅源电压达到合适的水平(如 VGS = -10 V)。如果问题依旧存在,检查是否需要更换或重新焊接该器件。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,如增加散热片或优化散热路径。 |
    | 栅极驱动电压不稳定 | 使用稳定的电源和适当的驱动电路,以确保栅极驱动信号的稳定性和可靠性。 |

    总结和推荐


    综上所述,2SJ355-VB P-Channel 30-V MOSFET 是一款出色的高性能MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。它具有低导通电阻、高耐压能力和优秀的热性能,使其成为许多电源管理和电池切换应用的理想选择。尽管其成本略高于普通MOSFET,但其卓越的性能和稳定性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐此产品给需要高可靠性和高性能的客户。

2SJ355参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 7.6A
最大功率耗散 6.5W
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V
栅极电荷 13nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SJ355厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ355数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ355 2SJ355数据手册

2SJ355封装设计

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