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VBZE20N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 14M-VBZE20N03 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE20N03

VBZE20N03概述

    VBZE20N03 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZE20N03 是一款采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术的 N 沟道 30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。此产品适用于多种应用场景,如 OR-ing、服务器及直流/直流转换等。该器件具有高可靠性,且符合 RoHS 规范,确保其在环保方面达到标准。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):1 A @ TA = 25 °C, 10 A @ TA = 70 °C
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.007 Ω @ VGS = 10 V, 0.009 Ω @ VGS = 4.5 V
    - 总栅极电荷 (Qg):25-35 nC @ VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 21.8 A
    - 最大功率耗散 (PD):100 W @ TC = 25 °C
    - 最大工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 至 175 °C
    - 热阻 (RthJA):32-40 °C/W @ TC = 25 °C
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):± 100 nA @ VDS = 0 V, VGS = ± 20 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):1 μA @ VDS = 30 V, VGS = 0 V

    产品特点和优势


    VBZE20N03 的独特之处在于其 TrenchFET® 技术,能够显著降低导通电阻和提高工作效率。此外,该器件还通过了 100% Rg 和 UIS 测试,确保在各种应用条件下的高可靠性。这些特性使其成为高性能电源管理和驱动应用的理想选择,特别是在需要高效、低损耗的应用场景中。

    应用案例和使用建议


    VBZE20N03 常用于 OR-ing 应用、服务器电源和直流/直流转换器中。例如,在服务器电源设计中,VBZE20N03 可以有效地管理电源转换过程中的开关损耗,从而提高系统的整体效率。在使用过程中,需要注意散热设计,以避免过热导致的性能下降。建议使用适当的散热器,并确保 PCB 设计中良好的热流通路径。

    兼容性和支持


    VBZE20N03 采用 TO-252 封装,易于焊接在标准 PCB 上。其与多种设备兼容,可以方便地集成到现有的系统设计中。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册和在线技术支持,帮助用户快速理解和正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温度下工作时性能下降?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,比如使用大散热片或安装风扇。
    2. 问题:长时间使用后发现漏电流增大?
    - 解决方案:检查焊接点是否有氧化现象,必要时重新焊接。
    3. 问题:产品出现短路情况?
    - 解决方案:检查外部电路是否有短路现象,确认栅极驱动电路无误。

    总结和推荐


    VBZE20N03 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备优异的导通特性和高可靠性。其独特的 TrenchFET® 技术使其在众多应用中表现出色。强烈推荐在需要高效、可靠电源管理的应用场景中使用 VBZE20N03。通过合理的散热设计和正确的使用方法,可以最大限度地发挥其潜力。

VBZE20N03参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE20N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE20N03数据手册

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VBZE20N03封装设计

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