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NTD4806N-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-NTD4806N-1G TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4806N-1G

NTD4806N-1G概述

    NTD4806N-1G-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD4806N-1G-VB 是一款高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),具有出色的开关性能和低导通电阻。这种MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,能够在高频开关应用中表现出色。主要应用领域包括电源管理、服务器、直流/直流转换器等。

    技术参数


    - 主要参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 100 A
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\) (在 \(V{GS} = 10 \text{V}\), \(ID = 3 \text{A}\)): 0.0035 \(\Omega\)
    - 额定脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 197 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 94.8 mJ
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3000 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 710 pF
    - 转移电容 \(C{rss}\): 170 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 171 nC
    - 工作环境
    - 最大工作温度范围:\(-55\) 至 \(175\) °C
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 32-40 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.5-0.6 °C/W

    产品特点和优势


    - 高效能: NTD4806N-1G-VB 具有非常低的导通电阻,可以显著降低功耗和发热,提高系统效率。
    - 高可靠性: 该MOSFET经过全面的可靠性测试,包括100%的Rg和UIS测试,确保在各种极端条件下都能稳定工作。
    - 环保设计: 符合RoHS指令,无铅化设计符合环保标准。
    - 广泛的应用: 适用于多种场合,如电源管理系统、服务器、直流/直流转换器等。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 本MOSFET常用于高密度服务器电源系统,能够有效地进行电源管理和提高系统的整体效率。此外,在高频逆变器中也表现出色。
    - 使用建议: 在使用过程中,建议通过外部散热器来降低工作温度,以延长使用寿命并提高稳定性。特别是在高功率应用中,应考虑使用散热器或其他有效的散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NTD4806N-1G-VB 与常见的电源管理芯片和控制器兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务: VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后保障,包括技术咨询、产品维修及更新服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 工作温度超出限定范围导致性能下降。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如散热片或散热风扇,来保持MOSFET的工作温度在安全范围内。

    - 问题2: 高频开关时出现过压问题。
    - 解决方案: 添加合适的缓冲电路或保护电路来吸收多余的电压,防止MOSFET损坏。

    总结和推荐


    NTD4806N-1G-VB MOSFET 具有高效的性能、可靠的品质和广泛的适用性。特别适合在高功率应用中作为关键元件。VBsemi公司提供的技术支持和售后服务也使这款产品在市场上具备很高的竞争力。综上所述,强烈推荐使用NTD4806N-1G-VB MOSFET。

NTD4806N-1G参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
最大功率耗散 250W
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.0045Ω@VGS = 4.5 V,ID = 37 A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD4806N-1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4806N-1G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD4806N-1G NTD4806N-1G数据手册

NTD4806N-1G封装设计

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