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VBE165R02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景, 门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性,阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为2200m?,提供可靠的导通特性,漏极电流为2A,适用于低功率需求,采用SJ_Deep-Trench技术,具有优异的性能和可靠性, 封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: 14M-VBE165R02 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE165R02

VBE165R02概述

    VBE165R02 N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBE165R02 是一款高性能的N沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电压应用场合。它的主要功能是通过开关控制电路中的电流流动,广泛应用于电源转换器、逆变器和电机驱动系统等领域。

    2. 技术参数


    - 工作电压: 最大漏源电压 \( V{DS} \) 为 650 V。
    - 连续漏极电流: 在 \( V{GS} \) = 10 V 下,最大连续漏极电流 \( ID \) 为 1.6 A。
    - 脉冲漏极电流: 在单脉冲条件下,最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \) 为 8.0 A。
    - 输入电容 \( C{iss} \): 在 \( V{DS} \) = 25 V,\( f \) = 1.0 MHz 条件下,典型值为 330 pF。
    - 输出电容 \( C{oss} \): 典型值为 40 pF。
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 典型值为 5.0 pF。
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 最大值为 15 nC。
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 在 \( V{DS} = V{GS} \),\( ID = 250 \mu A \) 条件下,范围为 2.0 V 至 4.0 V。
    - 最高结温: -55°C 至 +150°C。
    - 封装: TO-252 封装,符合RoHS指令。

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷 \( Qg \): 低门极电荷使得驱动需求简单,降低了驱动电路的复杂性。
    - 增强的栅极、雪崩及动态 \( dV/dt \) 耐受性: 提高了产品的可靠性和稳定性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流: 确保了产品的稳定性和一致性。
    - 符合RoHS指令: 环保合规,确保了产品在国际市场上的竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    VBE165R02 可广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。在设计电源转换器时,需要注意散热设计以避免过热导致的性能下降。建议使用良好的散热器和优化电路布局,以减少寄生电感和提高效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准TO-252封装兼容,可以方便地替换现有电路中的其他MOSFET器件。
    - 厂商支持: 供应商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高负载下工作时出现过热现象。
    - 解决办法: 优化散热设计,增加散热片或者使用强制风冷。
    - 问题: 开关损耗较高。
    - 解决办法: 减少开关频率或优化电路布局,降低寄生电感。

    7. 总结和推荐


    VBE165R02 MOSFET 以其高性能、高可靠性以及低功耗的特点,特别适合于高电压、大电流的应用场景。结合其简单的驱动要求和全面的特性表征,它在电源管理和电机驱动等领域有着广阔的应用前景。因此,强烈推荐使用这款产品。
    联系我们
    - 服务热线: 400-655-8788
    - 官方网站: www.VBsemi.com

VBE165R02参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4300mΩ@10V,3440mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE165R02厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE165R02数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE165R02 VBE165R02数据手册

VBE165R02封装设计

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