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FQD50N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 50A 12mΩ@10V TO-252
供应商型号: 14M-FQD50N06 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD50N06

FQD50N06概述

    FQD50N06-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQD50N06-VB 是一款适用于多种高可靠性应用场景的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和工业控制等领域。它具有低导通电阻(RDS(on))和高耐温能力,特别适合需要长时间高温运行的应用场合。此器件采用 TO-252 封装,易于安装和散热。

    技术参数


    - 额定电压:60 V (D-S)
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - 在 TC = 25 °C 时为 58 A
    - 在 TC = 100 °C 时为 58 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):100 A
    - 最大结温 (TJ):175 °C
    - 最大功耗 (PD):
    - 在 TC = 25 °C 时为 136 W
    - 在 TC = 100 °C 时为 8.3 W
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 25 °C 时为 0.010 Ω
    - 在 VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 125 °C 时为 0.016 Ω
    - 在 VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 175 °C 时为 0.020 Ω
    - 栅极电荷 (Qg):70 nC
    - 输入电容 (Ciss):2650 pF
    - 输出电容 (Coss):470 pF
    - 反向转移电容 (Crss):225 pF

    产品特点和优势


    1. 高耐温能力:FQD50N06-VB 的最高工作温度可达 175 °C,非常适合在极端高温环境中运行。
    2. 低导通电阻:在典型工作条件下,RDS(on) 最小值为 0.010 Ω,确保了低功耗和高效能。
    3. 快速开关性能:其快速开关特性和较低的栅极电荷使得在高频开关应用中表现出色。
    4. 卓越的热性能:该器件的热阻低,有助于提高系统可靠性并降低温升。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:在直流-直流转换器和其他开关电源电路中,FQD50N06-VB 可以显著提高效率并减少热量产生。
    - 电机驱动:由于其高耐温能力和低导通电阻,此器件适用于电动机控制应用。
    - 储能系统:在电池管理系统中,FQD50N06-VB 的可靠性和高性能能够提升系统的整体稳定性。
    使用建议:
    1. 确保 PCB 设计考虑良好的散热管理,特别是在高负载情况下。
    2. 在选择外部电路元件时,注意选择适当的驱动器和保护电路,以避免过压和过流情况。
    3. 使用示波器监测 MOSFET 的电压和电流波形,确保在设计过程中满足所有安全要求。

    兼容性和支持


    FQD50N06-VB 支持标准 TO-252 封装,兼容现有工业标准和设备。供应商提供全面的技术支持,包括在线资源、技术支持热线和定期的产品更新。如有需要,用户还可以通过官方网站下载最新的技术文档和应用指南。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理 MOSFET 过温问题?
    - 答:确保良好的 PCB 散热设计,增加散热片或使用风扇增强空气流通,从而降低器件温度。
    2. 问:如何避免栅极振荡?
    - 答:使用适当的栅极电阻 (Rg) 和栅极驱动器,确保栅极信号的稳定性和完整性。
    3. 问:如何减少寄生电感对 MOSFET 的影响?
    - 答:优化电路布局,尽量缩短栅极和漏极走线,以减小寄生电感效应。

    总结和推荐


    FQD50N06-VB 是一款性能优越、可靠性高的 N 沟道 MOSFET,特别适合在高温度、高功率密度的应用中使用。其低导通电阻、高耐温能力和快速开关性能使其成为多种应用的理想选择。强烈推荐在开关电源、电机驱动和储能系统中使用 FQD50N06-VB,这将显著提升系统的整体性能和稳定性。

FQD50N06参数

参数
最大功率耗散 136W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.65nF@25V
通道数量 -
栅极电荷 19.3nC
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD50N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD50N06数据手册

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FQD50N06封装设计

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