处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),30mΩ@10V,35mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-ZXMN6A08E6TA SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA概述

    ZXMN6A08E6TA-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN6A08E6TA-VB 是一种 N 沟道 60V (D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列,具有出色的电气特性和高效能。这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电动车辆系统、LED 驱动器、太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):60V
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0V 至 2.5V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 时为 7A;125°C 时为 4A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):10A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):5mJ
    - 热阻 (Junction-to-Ambient PCB Mount RthJA):110°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 反向转移电容 (Crss):55pF 至 70pF
    - 总栅极电荷 (Qg):6nC 至 12nC
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V 和 4.5V 时分别为 0.030Ω 和 0.035Ω
    - 输入电容 (Ciss):560pF 至 700pF

    产品特点和优势


    1. 高效率:通过优化设计,ZXMN6A08E6TA-VB 可以实现高效的能量转换和低功耗。
    2. 快速开关:由于较低的 RDS(on),这款 MOSFET 可以实现快速的开关操作,提高整体系统的响应速度。
    3. 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试保证了产品的可靠性和稳定性。
    4. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下正常工作,适应各种工业应用。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理系统:ZXMN6A08E6TA-VB 可用于高性能的电源转换电路,提供稳定的电流输出。
    - 电动车辆系统:适用于电池管理系统和电机驱动电路,提高能源利用效率。
    - LED 驱动器:适合高频率切换的 LED 照明系统,确保亮度稳定且寿命长。
    - 太阳能逆变器:作为功率转换的关键组件,能够实现高效能的光伏能源转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,确保 MOSFET 的热阻不超过额定值。
    - 进行电路设计时,考虑 ZXMN6A08E6TA-VB 的电容特性,选择合适的栅极驱动电路,避免瞬态过压现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数通用的 PCB 设计兼容,能够方便地安装和集成到现有的电路板中。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括在线资源、产品文档和客户支持服务。如需进一步咨询,请联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过高的热阻?
    - 解决方案:增加散热片或采用强制风冷,确保 MOSFET 的温度不超出安全范围。
    2. 问题:如何减少栅极驱动电压的变化?
    - 解决方案:使用更稳定的栅极驱动器,确保 MOSFET 工作在最佳状态。
    3. 问题:如何避免栅极振荡?
    - 解决方案:适当调整栅极电阻和去耦电容,减小噪声干扰。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN6A08E6TA-VB 是一款高性能的 N 沟道 60V MOSFET,具有高效率、高可靠性、快速开关等优点,广泛适用于多种应用领域。如果您需要一个高效、可靠的 MOSFET 解决方案,强烈推荐使用 ZXMN6A08E6TA-VB。

ZXMN6A08E6TA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
栅极电荷 12nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 70μΩ
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF
配置 -
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 5W
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZXMN6A08E6TA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN6A08E6TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA数据手册

ZXMN6A08E6TA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5959
库存: 1000
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.97
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336