处理中...

首页  >  产品百科  >  TN0200T-T1-E3

TN0200T-T1-E3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-TN0200T-T1-E3 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TN0200T-T1-E3

TN0200T-T1-E3概述

    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 是一种具有高性能特性的场效应晶体管(FET)。它采用先进的TrenchFET®技术制造,适用于广泛的直流/交流转换器、便携式设备负载开关等领域。由于其高可靠性和低导通电阻,这种MOSFET在电源管理和信号处理应用中表现出色。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS):20 V
    - 栅源电压 (VGS):±12 V
    - 连续漏极电流 (ID):6 A (TA = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20 A
    - 最大功率耗散 (PD):2.1 W (TA = 25°C)
    - 最大正向二极管电流 (IS):1.75 A
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):0.028 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1 μA (VDS = 20 V)
    - 输出电容 (Coss):105 pF
    - 总栅电荷 (Qg):8.8 nC (VGS = 4.5 V)

    产品特点和优势


    - Halogen-free:符合IEC 61249-2-21标准。
    - 100% Rg测试:确保每件产品都经过严格的栅极电阻测试。
    - RoHS合规:完全符合欧盟RoHS指令2002/95/EC。
    - 高效能:低导通电阻和高耐压使得其在各种应用中表现出色。
    - 快速开关:具备出色的开关速度和动态特性,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于DC/DC转换器和便携式设备的负载开关中。对于设计工程师来说,需要关注以下几个方面以确保最佳性能:
    - 散热管理:合理布局散热路径,避免过热导致的性能下降。
    - 负载匹配:选择合适的负载电阻以确保MOSFET在其额定范围内工作。
    - 输入信号控制:控制输入信号的幅度和频率,以充分利用MOSFET的开关特性。

    兼容性和支持


    该产品设计为兼容各种电子电路板和便携式设备,且与大多数电源管理和信号处理IC相兼容。厂商提供了详细的技术文档和支持,以便用户在使用过程中能够及时获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高温下无法正常工作。
    - 解决办法:确保良好的散热管理,使用散热片或风扇辅助散热。

    2. 问题:开关时间不稳定。
    - 解决办法:检查栅极驱动信号的稳定性和电压水平,适当调整外部电阻以优化开关时间。

    总结和推荐


    这款N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 在多个方面表现出色,特别是在其高可靠性、低导通电阻和快速开关特性上。适用于多种应用场合,尤其适合需要高效能电源管理和信号处理的设计。综上所述,我们强烈推荐此产品用于各类直流/交流转换器和便携式设备负载开关的设计中。

TN0200T-T1-E3参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TN0200T-T1-E3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TN0200T-T1-E3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TN0200T-T1-E3 TN0200T-T1-E3数据手册

TN0200T-T1-E3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.1425
库存: 993
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0.71
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504