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IRF9Z34PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V);
供应商型号: 14M-IRF9Z34PBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9Z34PBF

IRF9Z34PBF概述

    # IRF9Z34PBF P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF9Z34PBF 是一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。它具备高耐压(60V)和低导通电阻(典型值为0.062Ω),适用于负载开关和其他需要高效能和稳定性的电路。此器件采用 TO-220AB 封装形式,具有优异的热稳定性。

    技术参数


    以下是IRF9Z34PBF的主要技术参数:
    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DSS}\): 60V
    - 漏极-源极击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): -60V
    - 零栅源电压漏极电流 \(I{DSS}\): -1 μA (TJ = 125°C)

    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 \(ID\): -20A (TC = 25°C),-12A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): -60A
    - 导通电流 \(I{D(on)}\): -10A (VGS = -10V)
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \(r{DS(on)}\): 0.062Ω (VGS = -10V),0.120Ω (VGS = -4.5V)
    - 电容参数:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 850pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 120pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 90pF
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 5ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): 15ns
    - 上升时间 \(tr\): 14ns
    - 下降时间 \(tf\): 7ns
    - 安全操作区域:
    - 单脉冲能量 \(E{AS}\): 7.2mJ (L = 0.1 mH)

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:显著提高开关速度和降低导通电阻。
    - 全雪崩测试:确保产品质量和可靠性。
    - 卓越的热稳定性:在高功率应用中表现出色。
    - 高可靠性:可承受极端的工作条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:适用于各种负载开关电路,例如电源管理和电池管理。
    使用建议
    - 在高电流和高频应用中使用时,注意散热设计以避免过热。
    - 确保电路设计符合安全操作区域的要求,特别是在高电压下使用时。

    兼容性和支持


    - IRF9Z34PBF 与大多数标准电路板兼容,易于集成到现有系统中。
    - 厂商提供技术支持和售后服务,帮助客户解决在应用中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:长时间工作后器件发热严重
    解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇进行强制冷却。
    问题2:启动时出现延迟
    解决方案:检查电路中的驱动电阻 \(RG\) 设置是否合适,适当调整以减少开启延迟时间。
    问题3:出现异常关断现象
    解决方案:检查是否有瞬态电压干扰,安装适当的滤波电容以抑制干扰。

    总结和推荐


    IRF9Z34PBF 是一款性能优良的P沟道MOSFET,具有出色的电气特性和高可靠性。特别适合用于高功率和高频的应用场合。其卓越的热稳定性和快速的开关性能使其在负载开关及其他高要求的电路中表现出色。鉴于其广泛的应用范围和强大的技术参数,强烈推荐在高要求的电源管理系统中使用。
    如果您对IRF9Z34PBF有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的客户服务团队。

IRF9Z34PBF参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 60W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.3Ω@VGS = - 10 V,ID = - 5 A,TJ = 175 °C
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF9Z34PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9Z34PBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF数据手册

IRF9Z34PBF封装设计

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