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VBZE100P03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-100A,RDS(ON),5mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.75Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-VBZE100P03
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE100P03

VBZE100P03概述


    产品简介


    P-Channel 30V MOSFET 是一种高效能的场效应晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载控制等领域。该器件采用P沟道结构,具有较低的导通电阻(RDS(on)),能够实现高效的电流控制。此外,该产品符合RoHS标准,适用于现代环保要求较高的电子产品设计。

    技术参数


    - 基本参数:
    - VDS(漏源电压):30V
    - RDS(on)(导通电阻):在VGS=-10V时为0.005Ω(室温下)
    - ID(连续漏极电流):在TJ=25°C时为100A;在TJ=125°C时为90A
    - 连续脉冲电流:IDM为280A
    - 额定功率:在TJ=25°C时为187W
    - 极限参数:
    - 栅源电压:±20V
    - 连续漏极电流(TJ=175°C):在TC=25°C时为100A;在TC=125°C时为90A
    - 脉冲栅极电压:≤20V
    - 功率耗散:在TJ=25°C时为187W
    - 工作温度范围:-55°C到175°C

    产品特点和优势


    P-Channel 30V MOSFET 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:保证高效能的电流控制。
    - 高可靠性:通过严格的测试标准,确保在高温、高压环境下稳定运行。
    - 宽工作温度范围:可在极端环境中可靠工作,适用性广。
    - 符合RoHS标准:满足环保要求,适用于现代电子产品。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种应用场景,如开关电源、直流-直流转换器、电机驱动等。在开关电源的应用中,该MOSFET可有效降低功耗并提高效率。使用建议包括:
    - 在选择MOSFET时,确保其VDS值高于电路工作电压,以防止击穿。
    - 确保散热措施得当,以避免因过热导致的损坏。
    - 在高频应用中,考虑其寄生电容对系统的影响,必要时进行补偿。

    兼容性和支持


    该产品与常见的PCB布局兼容,支持广泛的工业标准。厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括在线文档、培训和技术支持热线(服务热线:400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何判断MOSFET是否过热?
    - A: 可以通过测量器件表面温度或利用散热片上的热敏电阻来监测温度。如果发现温度过高,应检查散热措施是否到位。

    - Q:为什么在高温下MOSFET的RDS(on)会增加?
    - A: 这是由于材料的温度系数导致的。可以通过改善散热条件或选用更高温度等级的产品来解决这一问题。

    - Q:在高频应用中,是否需要特别注意MOSFET的寄生电容?
    - A: 是的,寄生电容会影响开关性能。在设计时应仔细考虑寄生电容对系统的影响,并采取适当的补偿措施。

    总结和推荐


    P-Channel 30V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的MOSFET产品,非常适合用于各种电力电子应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和良好的兼容性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效能、高可靠性的应用场景中。
    通过以上分析可以看出,这款P-Channel 30V MOSFET在电力电子应用领域表现出色,无论是从技术参数还是应用角度都具备显著的优势。因此,我们推荐使用此产品。

VBZE100P03参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.75V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,7mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZE100P03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE100P03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE100P03 VBZE100P03数据手册

VBZE100P03封装设计

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