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IRFR310TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRFR310TRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR310TRPBF

IRFR310TRPBF概述

    IRFR310TRPBF-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR310TRPBF-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具有低栅极电荷(Qg)、增强的门极、雪崩和动态dv/dt耐受能力。该器件适用于多种应用领域,如开关电源、电机驱动、逆变器及电源转换等。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):2.1Ω (VGS=10V)
    - 最大总栅极电荷(Qg):48nC
    - 最大栅源电荷(Qgs):12nC
    - 最大栅漏电荷(Qgd):19nC
    - 连续栅极驱动电压(VGS):±30V
    - 最大连续漏极电流(ID):4.2A (TC=100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):325mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):4A
    - 重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 最大功耗(PD):60W (TC=25°C)
    - 最大结到环境热阻(RthJA):65°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):2.1°C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低驱动电路的复杂度和成本。
    - 高耐受性:增强的门极、雪崩和动态dv/dt特性使其在恶劣环境中稳定可靠。
    - 全面电气特性测试:完全表征了所有相关的电气特性,确保产品的质量和可靠性。
    - RoHS合规:符合欧盟关于有害物质限制指令(RoHS)的要求,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    IRFR310TRPBF-VB广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场合。例如,在一个典型的开关电源设计中,IRFR310TRPBF-VB可以作为主开关元件来实现高效的能量转换。在电机驱动应用中,它可以帮助减少驱动器的体积和成本。
    使用建议:
    1. 在选择合适的驱动电路时,考虑其栅极电荷特性,以实现最佳的开关性能。
    2. 为保证散热效果,使用适当的散热片并遵循推荐的安装扭矩。
    3. 在启动阶段,由于电流限制,建议逐步增加负载,避免瞬间过载。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他常见的开关电源和电机控制组件兼容,可广泛应用于各种电力电子系统中。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详细的技术支持和维护服务,包括文档下载、样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:驱动电压不稳定导致器件无法正常工作。
    - 解决办法:检查驱动电路的电压输出,并确保其稳定在指定范围内。
    - 问题2:发热过大影响性能。
    - 解决办法:使用更大面积的散热片,确保良好的热传导。
    - 问题3:雪崩保护不足导致器件损坏。
    - 解决办法:在设计时添加足够的雪崩保护电路,并合理设定参数以防止过压。

    总结和推荐


    IRFR310TRPBF-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低栅极电荷、高耐受性和全面的电气特性表征等显著优点。适用于多种工业应用场合,尤其适合需要高效率和可靠性的地方。强烈推荐用于需要高性能、稳定可靠的电力电子系统的开发和生产。

IRFR310TRPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 4.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1Ω@VGS = 10 V,ID = 3.1 A
栅极电荷 -
最大功率耗散 60W
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR310TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR310TRPBF数据手册

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IRFR310TRPBF封装设计

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