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VBZM60N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: VBZM60N06 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM60N06

VBZM60N06概述


    产品简介


    VBZM60N06 N-Channel 60-V MOSFET
    VBZM60N06 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子设备。该产品采用 TO-220AB 封装,具有高耐热性和卓越的电性能,适合在工业控制、电源转换和其他高压应用中使用。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \):±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \):60A (\( TJ = 175 ^\circ \text{C} \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):200A
    - 最大功率耗散 \( PD \):136W (当 \( TC = 25^\circ \text{C} \))
    - 工作温度范围:-55°C 到 175°C
    - 极限参数下最大结温:175°C
    - 关键性能参数:
    - 输出电容 \( C{OSS} \):570pF
    - 输入电容 \( C{ISS} \):4200pF
    - 反向转移电容 \( C{RSS} \):325pF
    - 零栅极电压漏极电流 \( I{DSS} \):1μA (在 \( V{DS} = 60V, V{GS} = 0V \))
    - 开态漏极电流 \( I{D(on)} \):60A
    - 开态漏极电阻 \( R{DS(on)} \):0.011Ω (在 \( V{GS} = 10V \))

    产品特点和优势


    1. 耐高温性:VBZM60N06 具有高达 175°C 的工作温度范围,使其在极端环境下也能保持稳定性能。
    2. TrenchFET® 技术:采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,降低了导通电阻,提高了开关速度,提升了能效。
    3. 高可靠性:产品通过严格的绝对最大额定值测试,确保长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 工业控制设备
    - 电源转换器
    - 驱动电机
    - 逆变器
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑 MOSFET 的最大漏极电流和工作温度限制。
    - 确保散热措施良好,以防止过热损坏。
    - 考虑使用栅极电阻来优化开关时间。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准 TO-220AB 插座兼容,便于安装和替换。
    支持:
    - 客户可拨打 400-655-8788 咨询有关技术支持、维护及产品信息。
    - 通过官方网站 www.VBsemi.com 获取更多技术文档和应用指南。

    常见问题与解决方案


    - Q:漏极电流超出了额定值怎么办?
    - A: 降低工作电压或电流,确保不超过最大额定值。

    - Q:产品过热怎么办?
    - A: 优化散热系统,如使用散热片或增加通风量。

    - Q:如何正确安装和接线?
    - A: 严格按照产品手册中的说明进行安装和接线,确保引脚连接正确且稳固。

    总结和推荐


    VBZM60N06 是一款高性能的 N 沟道 60V MOSFET,具有出色的耐热性和可靠的电性能。它在多种高压应用中表现出色,特别是在工业控制和电源转换领域。虽然价格略高,但考虑到其优异的性能和可靠性,它值得推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。
    推荐指数:★★★★☆
    总的来说,VBZM60N06 是一款非常优秀的产品,适用于各种高压应用。如果需要高性能和高可靠性的 MOSFET,VBZM60N06 是一个不错的选择。

VBZM60N06参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 60A
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM60N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM60N06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM60N06 VBZM60N06数据手册

VBZM60N06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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