处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF7451TRPBF

IRF7451TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-IRF7451TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7451TRPBF

IRF7451TRPBF概述

    IRF7451TRPBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF7451TRPBF-VB 是一款 N-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多种独特的特性和广泛的应用范围。这款 MOSFET 主要用于开关电源的设计中,尤其是在主边开关电路中表现卓越。它采用标准的 SO-8 封装形式,易于焊接和安装。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):150 V
    - 连续漏极电流 (ID):5.4 A(TA = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):22 A
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1 µA(VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.080 Ω(VGS = 10 V, ID = 5 A)
    - 栅极电荷 (Qg):23 nC(VDS = 75 V, VGS = 10 V, ID = 5 A)
    - 输出电容 (Coss):160 pF
    - 反向传输电容 (Crss):37 pF
    - 栅源电荷 (Qgs):8 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):6.5 nC
    - 热阻 (RthJA):33 °C/W(最大值)
    - 工作温度范围:-55 °C 至 150 °C

    产品特点和优势


    IRF7451TRPBF-VB 的特点使其成为许多应用的理想选择。首先,它采用了无卤材料,符合 RoHS 指令的要求,这使得它在环保方面具有显著的优势。其次,它的导通电阻非常低,仅为 0.080 Ω(VGS = 10 V, ID = 5 A),有助于减少功耗并提高效率。此外,极低的栅极电荷 (Qg) 也有助于降低开关损耗,使该器件非常适合高频应用。最后,该器件经过 100% 的栅极电阻测试和雪崩测试,保证了其可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    IRF7451TRPBF-VB 通常应用于需要高开关频率和低损耗的应用中。例如,在电源适配器中作为初级侧开关使用时,它可以有效地减小开关损耗,从而提高整体系统的效率。在具体应用中,可以通过优化电路设计来进一步提高性能。例如,可以增加散热片以降低温度,或通过减小栅极电阻来缩短开关时间。

    兼容性和支持


    该产品与其他大多数 SO-8 封装的 N-沟道 MOSFET 具有良好的兼容性,适用于标准电路板设计。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详尽的产品手册、样品和工程咨询服务,以确保客户能够顺利地将该器件集成到他们的设计中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 在高温环境下性能下降
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热措施,如增加风扇或水冷系统。

    2. 问题:栅极电压波动导致开关频率不稳定
    - 解决方案:确保栅极电阻稳定,并检查电源是否稳定,必要时添加稳压电路。
    3. 问题:长时间工作后器件发热严重
    - 解决方案:增加散热面积或使用导热材料来改善散热效果。

    总结和推荐


    综上所述,IRF7451TRPBF-VB 是一款具备优良特性和广泛应用潜力的 N-沟道 MOSFET。其低导通电阻和低栅极电荷使其特别适合高频开关应用。此外,制造商提供的完善技术支持和可靠的品质保证也使得该产品在市场上具有较高的竞争力。对于需要高性能和高可靠性的应用,强烈推荐使用此款 MOSFET。

IRF7451TRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.735nF
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.095Ω@VGS = 8 V,ID = 5 A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5.4A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF7451TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7451TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF数据手册

IRF7451TRPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.6682
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336