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VBM15R13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 14M-VBM15R13 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM15R13

VBM15R13概述

    # VBM15R13 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBM15R13 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于电源转换、电机驱动和照明系统等高功率密度应用。本产品具有低门极电荷(Qg)特性,可以简化驱动电路的设计,并且具备出色的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性。此外,VBM15R13符合RoHS指令要求,适用于环保要求严格的行业。

    技术参数


    以下是VBM15R13的主要技术规格和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 500 | V |
    | 栅极源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | - | - | 250 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | 0.660 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1910 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 290 | - | pF |
    | 门极电荷 | Qg | - | - | 81 | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 15 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 39 | - | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | 39 | - | ns |
    | 有效输出电容 | Coss eff. | - | 160 | - | pF |
    工作环境
    - 最大功耗:PD = 250W
    - 最高结温:TJ = 150°C
    - 焊接温度:300°C(峰值,持续10秒)

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):显著简化驱动电路设计,减少功率损耗。
    2. 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:增强产品在高压和高频应用中的可靠性。
    3. 全面的电容和雪崩电压特性:确保在不同工作条件下的稳定性和耐用性。
    4. 符合RoHS标准:适用于需要严格环保标准的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用其低导通电阻特性实现高效能量转换。
    - 电机驱动:由于其低损耗特性,适合用于电机控制和驱动。
    - 照明系统:可用于LED驱动电路,提高能效和可靠性。
    使用建议
    - 在设计驱动电路时,应考虑其较低的Qg特性,从而减少所需的门极驱动功率。
    - 在应用中需要注意其最大功耗限制,以避免过热问题。

    兼容性和支持


    VBM16R13 支持标准的TO-220AB封装,易于安装和维护。厂商提供详尽的技术支持文档,并通过服务热线400-655-8788提供客户支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关频率过高导致过热 | 降低工作频率并优化散热设计 |
    | 开启延迟时间较长 | 调整门极驱动电路,增加驱动电流 |
    | 门极电荷不稳定 | 检查门极驱动电路的连接,确保接触良好 |

    总结和推荐


    VBM15R13 N沟道功率MOSFET凭借其优秀的电气特性和鲁棒性,在多种应用中表现出色。低门极电荷特性使其在驱动电路设计上更为灵活,而其广泛的温度适应能力使其在复杂环境中依然能够可靠运行。我们强烈推荐该产品用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

VBM15R13参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 13A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM15R13厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM15R13数据手册

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VBM15R13封装设计

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