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2SK3149

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-2SK3149 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3149

2SK3149概述


    产品简介


    2SK3149-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的电气特性和热稳定性。它的主要应用领域包括电源管理、电机控制、汽车电子和通信系统等。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):100V
    - 门限电压 (VGS(th)):1V~3V
    - 最大门极体泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 漏极-源极通态电阻 (RDS(on)):0.036Ω (VGS = 10V)
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 (ID):55A (TC = 25°C),40A (TC = 125°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):35A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAR):35A
    - 雪崩能量 (EAR):61mJ (L = 0.1mH)
    - 热性能:
    - 热阻(结到环境) (RthJA):40°C/W
    - 热阻(结到外壳) (RthJC):1.4°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    - 高可靠性:2SK3149-VB能够在高达175°C的结温下正常工作,具备高可靠性。
    - 低导通电阻:漏极-源极通态电阻仅为0.036Ω (VGS = 10V),从而有效降低功率损耗。
    - 快速开关速度:门极电荷 (Qg) 和总门极电容 (Ciss) 低,使得开关速度较快,适合高频应用。
    - 高功率处理能力:最大功率耗散可达127W (TC = 25°C),保证了高负载下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK3149-VB常用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用中。例如,在一个典型的开关电源设计中,它可以作为主控开关器件,以实现高效能的电力转换。
    使用建议
    - 在设计时考虑散热措施,特别是在高温环境下使用。
    - 确保正确的门极驱动信号以避免过高的门极电压。
    - 尽量减少门极电容和寄生电容的影响,提高开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2SK3149-VB采用标准TO-220封装,可与多种电路板和散热片配合使用。
    - 支持:供应商提供了详尽的技术文档和支持服务,可通过电话400-655-8788进行咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查门极驱动信号是否正确,确保VGS不超过±20V。 |
    | 开关速度慢 | 减少寄生电容和门极电容,使用适当的门极电阻。 |
    | 过热损坏 | 改进散热设计,使用更大的散热片或加装风扇冷却。 |

    总结和推荐


    总体来说,2SK3149-VB是一款出色的N沟道MOSFET,具有高可靠性、低导通电阻和快速开关速度等特点。它适用于需要高效电力转换和高功率处理的应用场合。强烈推荐在电力管理和电机控制系统中使用2SK3149-VB。

2SK3149参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 127W
Rds(On)-漏源导通电阻 0.065Ω@VGS = 10 V,ID = 3 A,TJ = 175 °C(typ)
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 45A
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3149厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3149数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3149 2SK3149数据手册

2SK3149封装设计

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