处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZE7843

VBZE7843

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-VBZE7843 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE7843

VBZE7843概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款适用于多种工业应用的高性能电子元器件。这种 MOSFET 基于先进的 TrenchFET® 技术设计而成,具有高可靠性、低导通电阻和优良的热稳定性。该产品广泛应用于服务器电源管理、直流到直流转换等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.5V 至 2.5V
    - 额定功率耗散 \(PD\): 250W (最大)
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \(ID\): 120A (最大)
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 39A
    - 持续体二极管电流 \(IS\): 120A (最大)
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10V\): 0.0023Ω
    - \(V{GS} = 4.5V\): 0.0032Ω
    - 温度参数
    - 最大工作结温 \(TJ\): 175°C
    - 存储温度范围 \(T{stg}\): -55°C 至 175°C
    - 封装与物理特性
    - 封装形式: TO-252
    - 芯片尺寸: 5.97mm × 6.22mm
    - 重量: 约2克

    3. 产品特点和优势


    - 高效能: 采用先进的 TrenchFET® 技术,确保高效的电流控制和低损耗。
    - 高可靠性: 100% 经过 \(Rg\) 和 UIS 测试,符合 RoHS 指令 2011/65/EU。
    - 快速响应: 低门电容和高开关频率能力,适用于高速开关电路。
    - 宽工作范围: 可在极端条件下正常工作,适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - OR-ing: 用于服务器电源管理,能够有效管理多路电源输入。
    - 服务器电源管理: 在数据中心应用中,保证电源的稳定供应。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,应注意散热设计以避免热失控。
    - 使用时应避免超出绝对最大额定值(如 \(V{DS}\) 超出 30V)。
    - 定期检查并更换可能的老化部件,以维持最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 与大多数标准电源管理和直流转换设备兼容。

    - 支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括产品培训和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品工作时发热严重。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,适当增加散热器或使用外部风扇。
    - 问题2: 无法达到预期的导通电阻 \(R{DS(on)}\)。
    - 解决方案: 检查电路设计和工作条件是否符合技术手册的要求。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 在性能和可靠性方面表现卓越,尤其适合高要求的应用环境。它具备优异的导通电阻、快速响应能力和宽工作温度范围。强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用场合中使用该产品。

VBZE7843参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE7843厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE7843数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE7843 VBZE7843数据手册

VBZE7843封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.3837
库存: 90
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 11.91
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336