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PSMN3R8-100BS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-PSMN3R8-100BS TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PSMN3R8-100BS

PSMN3R8-100BS概述

    PSMN3R8-100BS-VB N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    PSMN3R8-100BS-VB 是一种N沟道功率MOSFET,适用于各种高压应用场合。这种器件采用先进的TrenchFET®技术,能够在高电流和高电压下稳定工作。它的主要功能包括低导通电阻、高热阻抗、高可靠性以及广泛的温度范围适应能力。它广泛应用于开关电源、电机驱动、汽车电子系统等领域。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):100V
    - 最大栅极电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):87A(TJ=25°C),440A(脉冲)
    - 最大耗散功率(PD):375W(TJ=25°C)
    - 静态参数:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.004Ω(VGS=10V,ID=10A)
    - 门限电压(VGS(th)):2-4V
    - 门源漏电流(IDSS):1μA(VDS=100V,VGS=0V)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):750pF(VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):280pF
    - 转移电容(Crss):280pF
    - 门栅电荷(Qg):110-160nC
    - 开启延时时间(td(on)):20-30ns
    - 环境参数:
    - 最大工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C至175°C
    - 热阻抗(RthJA):40°C/W
    - 热阻抗(RthJC):0.4°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性和稳定性:该器件采用了TrenchFET®技术,提供了极低的导通电阻和高度稳定的性能。
    - 高耐热性:工作温度范围广,最高可达175°C,适合高温环境下工作。
    - 低热阻抗:新封装设计具有更低的热阻抗,提升了散热效率,从而延长了使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 用于高压直流电机驱动
    - 作为开关电源中的关键组件
    - 汽车电子系统中的负载开关
    - 使用建议:
    - 在高电流应用中,确保充分的散热,避免过热损坏。
    - 选择合适的驱动电路,以减小开关损耗。
    - 根据应用场景调整栅极驱动电阻,优化开关速度和减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与常见的D2PAK (TO-263) 封装标准兼容,易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括样品请求、技术文档和专业咨询,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何优化热管理?
    - 解决方案:确保安装在较大的PCB板上,增加散热面积。可使用散热片或散热风扇进行辅助散热。
    - 问题2:如何提高开关速度?
    - 解决方案:适当减小栅极驱动电阻值,以加快开关速度并降低损耗。
    - 问题3:如何防止栅极过压?
    - 解决方案:使用适当的栅极保护电路,例如TVS二极管,以防止过压损害。

    总结和推荐


    综上所述,PSMN3R8-100BS-VB N-Channel 100V MOSFET是一款高效可靠的器件,特别适合高压和高可靠性要求的应用场合。其优秀的热性能和宽泛的工作温度范围使其成为市场上同类产品中的佼佼者。强烈推荐此产品用于高压直流电机驱动、开关电源和其他需要高性能MOSFET的应用领域。

PSMN3R8-100BS参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PSMN3R8-100BS厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PSMN3R8-100BS数据手册

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PSMN3R8-100BS封装设计

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