处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFB7740

IRFB7740

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,80V;100A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.7V;
供应商型号: 14M-IRFB7740 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB7740

IRFB7740概述

    IRFB7740-VB N-Channel MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    IRFB7740-VB是一款来自VBsemi的高性能N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其核心特性为TrenchFET®技术。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,广泛应用于电源管理和控制电路中,例如初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光驱动。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 80V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (TJ = 150°C): 28.6A @ Tb = 25°C, 24.9A @ Tb = 70°C
    - 单脉冲雪崩电流 (IL = 0.1mH): 30A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 45mJ
    - 最大耗散功率 (TC = 70°C): 180W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 焊接温度峰值: 260°C
    - 电气特性
    - 静态
    - 漏源击穿电压 (VDS): 80V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V 至 3.5V
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 1μA (VDS = 80V)
    - 动态
    - 输入电容 (Ciss): 3855pF (VDS = 40V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss): 1120pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 35.5nC (VDS = 40V, VGS = 10V)

    3. 产品特点和优势


    - 高效率: 低导通电阻 (RDS(on)) 和出色的动态特性使该MOSFET在高频开关应用中表现优异。
    - 耐用性: 经过100% Rg和UIS测试,确保在极端条件下依然可靠。
    - 广泛的应用范围: 适用于多种电源转换应用,如同步整流、LED背光驱动等。
    - 优化的封装设计: TO-220AB封装便于表面安装,提高散热效果。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步整流:IRFB7740-VB可用于高效能的同步整流电路,显著降低损耗。
    - LED背光驱动:通过控制MOSFET的导通和关断,实现高效的LED背光驱动。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应考虑增加散热措施,避免因热阻而导致的过热。
    - 使用过程中要注意控制栅极电压 (VGS),以避免超出绝对最大额定值,防止器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的表面贴装设备(SMD)兼容,可直接焊接到PCB上。
    - 支持和服务:VBsemi提供全面的技术支持和客户咨询服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:确保栅极驱动器输出稳定且符合VGS要求的信号,避免栅极噪声干扰。

    - 问题2:过热现象。
    - 解决方案:改善散热设计,比如使用更大面积的散热片或者外部冷却装置。

    - 问题3:启动延迟时间长。
    - 解决方案:优化驱动电阻 (Rg),确保合适的门极电荷 (Qg)。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    IRFB7740-VB是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,具有优秀的电气特性和可靠性。其广泛应用在各种电力电子设备中,特别是那些需要高效、低损耗和高可靠性的场合。考虑到其在市场上的良好表现和VBsemi提供的完善技术支持,我们强烈推荐使用IRFB7740-VB。

IRFB7740参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB7740厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB7740数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB7740 IRFB7740数据手册

IRFB7740封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.5714
库存: 50
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 12.85
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0