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FDS8812NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 30V 18A 4mΩ@10V SOP-8
供应商型号: 14M-FDS8812NZ SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS8812NZ

FDS8812NZ概述

    # FDS8812NZ-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS8812NZ-VB 是一款高性能 N-Channel 30-V MOSFET,由台湾VBsemi公司设计并生产。其采用TrenchFET® Power MOSFET工艺,具有低导通电阻(RDS(on))和优化的高侧同步整流性能,特别适合笔记本电脑CPU核心等应用场合的高侧开关需求。此产品符合无卤化要求,是现代电子产品绿色制造的理想选择。
    主要功能:
    - 用于高侧开关和同步整流的优化电路设计
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 高效率和低功耗运行
    应用领域:
    - 笔记本电脑CPU核心
    - 高效电源转换器
    - 同步整流电路

    2. 技术参数


    以下是FDS8812NZ-VB的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压(VDS) | VGS = 0V,ID = 250μA | - | - | 30 | V |
    | 漏极电流(ID) | 连续电流(TJ = 150°C) | - | 18 | - | A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | VGS = 10V,ID = 11A | 0.004 | - | - | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | VDS = 15V,VGS = 0V,f = 1MHz | - | 820 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | VDS = 15V,VGS = 10V,ID = 11A| - | 195 | - | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | VDS = 15V,VGS = 10V,ID = 11A| - | 73 | - | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | VDS = 15V,VGS = 10V,ID = 11A| 15 | 23 | - | nC |
    其他参数包括工作温度范围(-55°C 至 +150°C)、最高功率耗散(4.5W)以及热阻(RthJA = 38°C/W)。

    3. 产品特点和优势


    FDS8812NZ-VB 的关键特点和优势如下:
    - 优化设计:专门针对高侧同步整流操作进行了优化,提高了整体效率。
    - 高可靠性:通过了100% Rg测试和100% UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 绿色环保:符合RoHS标准且无卤化设计,满足现代环保要求。
    - 优异性能:极低的导通电阻和出色的动态特性,使其成为高效能电源管理的最佳选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    FDS8812NZ-VB广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关电路中,能够显著降低功耗并提升系统效率。此外,它还适用于同步整流器、直流-直流转换器等领域。
    使用建议:
    - 优化散热设计:由于其较高功率密度,建议在PCB布局时增加散热区域以改善散热效果。
    - 匹配驱动电路:根据负载需求合理设置栅极电阻(Rg),避免因过快的开关速度导致额外的损耗。

    5. 兼容性和支持


    FDS8812NZ-VB与多种主流电子元器件兼容,并支持SO-8封装标准。厂商提供全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),确保用户获得及时有效的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻(Rg),优化驱动电路 |
    | 温度过高 | 改善散热措施,增加散热片或风扇 |
    | 导通电阻异常 | 检查焊接质量,确认栅极电压(VGS)正常 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    FDS8812NZ-VB是一款性能卓越的N-Channel 30-V MOSFET,凭借其低导通电阻、高可靠性及环保特性,在高效率电源管理领域具有显著优势。它非常适合需要高频率和低功耗的应用场景。
    推荐结论:
    强烈推荐FDS8812NZ-VB用于笔记本电脑CPU核心及其他高效能电源管理系统。其优异的技术参数和可靠性使其成为同类产品中的佼佼者。

FDS8812NZ参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDS8812NZ厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS8812NZ数据手册

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FDS8812NZ封装设计

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