处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE55P05S

NCE55P05S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-6A,RDS(ON),50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: NCE55P05S SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE55P05S

NCE55P05S概述

    NCE55P05S-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE55P05S-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有坚固耐用的特性,适用于多种应用场景,包括电源管理和电池充电管理等。这款MOSFET具备高耐压能力和低导通电阻,能够满足大部分电路设计需求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压(D-S) | -60 | V |
    | 导通电阻 (VGS=-10 V) | 0.060 | Ω |
    | 导通电阻 (VGS=-4.5 V) | 0.063 | Ω |
    | 持续漏极电流 (Tj=25 °C) | -8 | A |
    | 最大耗散功率 (Tj=25 °C) | 5 | W |
    | 最高工作温度 | 175 | °C |
    | 最低存储温度 | -55 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:NCE55P05S-VB具有非常低的导通电阻,从而在电路中实现更高的效率。
    - 高可靠性:所有批次均经过Rg和UIS测试,确保产品的高可靠性和稳定性。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到+175°C,能够在极端环境中正常工作。
    - 快速开关特性:低门电荷(Qg)和低门电阻(Rg),使得NCE55P05S-VB拥有出色的开关速度。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源管理:NCE55P05S-VB非常适合用于AC/DC转换器、DC/DC转换器和负载切换。
    - 电池充电管理:可用于锂离子电池和其他可充电电池的充电控制。
    使用建议:
    - 在进行电路设计时,应注意散热设计以保证MOSFET在额定电流下的稳定运行。
    - 为了进一步提高电路的可靠性,可以考虑增加一个适当的热保护电路来监控和限制器件的工作温度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCE55P05S-VB采用标准SO-8封装,方便与现有PCB进行焊接连接。
    - 支持和服务:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和故障排除指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在长时间工作后出现过热现象。
    - 解决方案:优化电路设计中的散热措施,例如增加散热片或者使用更大的PCB面积以提高散热效果。

    - 问题:MOSFET在启动过程中出现不稳定现象。
    - 解决方案:检查电路的布线和布局,确保正确的电源电压和电流供应,并且确认门极驱动信号的稳定性和强度。

    7. 总结和推荐


    综合评估:NCE55P05S-VB MOSFET凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及广泛的工作温度范围,在多个领域展现出色的应用表现。其卓越的性能和高可靠性使其成为各种高要求应用场景的理想选择。
    推荐:鉴于其优异的特性和广泛的适用范围,强烈推荐在需要高效率和可靠性的电源管理应用中使用NCE55P05S-VB MOSFET。

NCE55P05S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCE55P05S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE55P05S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE55P05S NCE55P05S数据手册

NCE55P05S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7875
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.93
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504