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VBE1101M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: 14M-VBE1101M TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE1101M

VBE1101M概述

    VBE1101M N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBE1101M 是一款高性能的N-通道100V MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术制造。它具备极高的耐热性和宽泛的工作温度范围,适用于各种电源转换应用,特别是作为初级侧开关。该产品符合RoHS标准,并通过严格的测试验证。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 100 | V |
    | 最大栅源电压(VGS) | ±20 | V |
    | 持续漏电流(TC = 25°C) | 13 | A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 40 | A |
    | 最大功率耗散(TC = 25°C) | 96 | W |
    | 工作结温范围 | -55 至 150 | °C |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 无标称值 | V |
    | 导通电阻(RDS(on),VGS=10V) | 0.13 | Ω |
    | 增益系数(gfs) | 35 | S |
    | 输入电容(Ciss) | 950 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 120 | pF |
    | 反向转移电容(Crss) | 60 | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:150°C 的工作结温使其适用于极端工作条件。
    - 高效率:PWM 优化设计使得该产品在开关频率下表现出色。
    - 合规性:完全符合RoHS标准,确保环保和合规性。
    - 严格测试:所有样品经过 100% Rg 测试,保证产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    VBE1101M 主要用于初级侧开关,特别是在需要高可靠性和高效率的应用中。例如,在电源适配器和电机驱动中,它可以有效提高系统效率并降低能耗。使用时应注意散热设计,以确保在高温环境下仍能稳定运行。此外,使用时应遵循正确的电路布局和布线规范,避免信号干扰。

    5. 兼容性和支持


    VBE1101M 支持广泛的电气特性和工作环境,与其他电子元器件有良好的兼容性。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,以确保客户能够充分利用该产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据应用需求和功耗计算,选择合适的栅极电阻值,一般建议在2.5Ω左右。

    - 问题:散热问题如何处理?
    - 解决方案:设计有效的散热系统,如增加散热片或使用导热材料,确保器件工作在安全温度范围内。

    7. 总结和推荐


    总体而言,VBE1101M 是一款非常适合应用于高压、高频和高可靠性要求场合的N-通道MOSFET。其出色的电气特性和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。建议在关键电源应用中选用此产品,以获得最佳的性能和可靠性保障。
    希望以上信息对您有所帮助。如需进一步的技术支持或详细资料,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

VBE1101M参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE1101M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE1101M数据手册

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VBE1101M封装设计

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