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UT9435G-TN3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-UT9435G-TN3-R TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT9435G-TN3-R

UT9435G-TN3-R概述

    # UT9435G-TN3-R-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    UT9435G-TN3-R-VB 是一款高性能的 P 沟道功率 MOSFET,采用 TrenchFET 技术制造,适用于高效率负载开关及笔记本适配器等场景。其具有低导通电阻(RDS(on))和高雪崩电流能力,广泛应用于电源管理、通信设备及工业控制等领域。
    主要功能
    - 电压等级:-30V(最大值)。
    - 极性:P 沟道。
    - 特殊性能:无卤素设计,100% RG 和 UIS 测试验证。
    应用领域
    - 笔记本适配器开关。
    - 负载开关。
    - 各种直流电路控制模块。

    技术参数


    以下是 UT9435G-TN3-R-VB 的关键电气和热学性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 阈值电压范围 | VGS(th) | -1.0 | 2.5 | - | V |
    | 漏极连续电流(Ta=25℃) | ID | - | - | -30 | A |
    | 最大功率耗散(Ta=25℃) | PD | - | - | 25 | W |
    | 热阻(结到空气) | RthJA | - | 38 | 46 | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    特点
    1. 环保设计:符合 RoHS 和无卤素标准。
    2. 高性能参数:具有超低导通电阻(0.033Ω @ VGS=-10V),满足高效能需求。
    3. 高可靠性测试:100% RG 和 UIS 测试确保耐用性。
    4. 快速响应特性:总栅极电荷低至 19nC,提升开关速度。
    优势
    - 节能:优秀的低功耗表现,减少能源损耗。
    - 多功能适应性:在高低温条件下均保持稳定运行。
    - 高性价比:结合高品质与低成本特性,广泛适用于不同场合。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    1. 负载开关:用于笔记本电脑或其他便携式设备,实现负载快速切换。
    2. 适配器开关:作为笔记本适配器的关键元件,保障系统正常运行。
    使用建议
    - 在高温环境下工作时,需注意散热设计,建议使用适当的 PCB 板材以提高散热效率。
    - 应避免长时间超过绝对最大额定值的工作条件,以免影响使用寿命。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持多种 PCB 板材,如 FR4 材料。
    - 尺寸规格完全符合 TO-252 表面贴装封装标准,便于集成到现有电路中。
    厂商支持
    - 服务热线:400-655-8788
    - 提供详尽的技术文档和测试报告,助力客户快速开发与部署。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 增加外置散热片或降低工作频率 |
    | 初始驱动不充分导致无法开启 | 调整驱动电压至标称值 |
    | 长期工作后性能下降 | 检查电路是否存在过流现象,必要时更换 |

    总结和推荐


    综合评估
    UT9435G-TN3-R-VB 是一款卓越的 P 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、快速响应和高可靠性等显著优势,适用于多种高要求场景。此外,其无卤素设计和环保材料的选用,进一步增强了市场竞争力。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能、合理的价格以及强大的技术支持,我们强烈推荐此产品用于高效率的直流电路设计。无论是笔记本适配器还是负载开关,UT9435G-TN3-R-VB 都是一个理想的选择。
    如有任何疑问,欢迎拨打服务热线:400-655-8788 获取专业帮助。
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

UT9435G-TN3-R参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

UT9435G-TN3-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT9435G-TN3-R数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT9435G-TN3-R UT9435G-TN3-R数据手册

UT9435G-TN3-R封装设计

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