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DMP3037LSS-13-F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-DMP3037LSS-13-F SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) DMP3037LSS-13-F

DMP3037LSS-13-F概述

    # DMP3037LSS-13-F-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    DMP3037LSS-13-F-VB 是一款P通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于30V(漏极到源极)的应用环境。此款MOSFET采用先进的沟槽技术制造,符合RoHS指令和无卤素标准,适用于各种电子设备和电路设计中。
    主要功能
    - 高可靠性:符合严格的IEC 61249-2-21标准和RoHS指令。
    - 低导通电阻:在不同栅极电压下具有较低的导通电阻(RDS(on)),例如,在VGS=-10V时为0.033Ω。
    - 宽温度范围:可在-55°C至150°C的工作环境中稳定运行。
    应用领域
    - 电源管理:适用于各种直流电源管理和开关电源系统。
    - 汽车电子:可应用于汽车电路中的控制模块。
    - 工业自动化:适合用于需要精确控制电流的工业设备中。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 -30 | - | -30 | V |
    | 栅极-源极电压 ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | TJ = 150°C | -5.8 | - | -4.1 | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | -30 | - | - | A |
    | 导通电阻 | VGS=-10V, ID=-5.8A | 0.033 | - | - | Ω |

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 低导通电阻:确保了高效的能量转换和降低功耗。
    - 高可靠性:符合RoHS标准和无卤素设计,降低了环境污染风险。
    - 宽温度范围:适合在极端环境下工作,保证了设备的稳定性和耐用性。
    市场竞争力
    DMP3037LSS-13-F-VB在低导通电阻和宽温度范围方面的卓越表现,使其在众多同类产品中脱颖而出,尤其适用于高效率要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    根据手册中的典型图表和测试条件,DMP3037LSS-13-F-VB常用于如下场景:
    - 直流电源管理:作为开关元件,实现高效能源转换。
    - 汽车电子控制模块:提供精准的电流控制,确保车辆运行的稳定性。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热问题,以保持良好的工作状态。
    - 设计时考虑热阻抗,合理分配热能,避免局部过热现象的发生。

    兼容性和支持


    兼容性
    DMP3037LSS-13-F-VB采用SO-8封装,易于安装和焊接。与其他常见的SO-8封装元件兼容,便于在现有电路板上进行替换或升级。
    支持和维护
    制造商VBsemi提供了完善的技术支持和服务热线(400-655-8788),客户在使用过程中遇到任何问题均可随时咨询,确保问题得到及时解决。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下的性能下降 | 确保良好的散热措施,如加装散热片或散热器。 |
    | 功耗过高 | 检查电路设计,优化布局以减少不必要的损耗。 |
    | 初始工作不稳定 | 检查连接线和焊接点是否牢固可靠,重新焊接或更换不良部件。 |

    总结和推荐


    综合评估
    DMP3037LSS-13-F-VB以其出色的导通电阻、广泛的温度适应范围以及良好的可靠性,成为了一款高性能的P通道MOSFET。其在多种应用场景中的优异表现,使其在电源管理和工业自动化等领域有着广泛的应用前景。
    推荐使用
    基于以上评估,强烈推荐使用DMP3037LSS-13-F-VB,尤其是在需要高效能、低功耗且具备良好环境适应性的应用场景中。

DMP3037LSS-13-F参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.06Ω@VGS = -4.5 V,ID = -4.4 A
Id-连续漏极电流 4.1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 1.3W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

DMP3037LSS-13-F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

DMP3037LSS-13-F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 DMP3037LSS-13-F DMP3037LSS-13-F数据手册

DMP3037LSS-13-F封装设计

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