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FU120N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 100V 12A 220mΩ@10V TO-251
供应商型号: 14M-FU120N TO-251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FU120N

FU120N概述

    FU120N-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FU120N-VB 是一款 N 沟道 100V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它设计用于各种电源转换和电机控制应用,如开关电源、逆变器、DC-DC 转换器和电源管理模块。该器件采用 TO-251 封装形式,适用于自动化生产线上的大规模组装。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 栅源漏电 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.20 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 16 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 4.4 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 7.7 | nC |
    | 绝对最大额定值 | - | - | - | - | - |
    | 漏源电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 持续漏电流(TC=25°C) | ID | - | 12 | - | A |
    | 脉冲漏电流(TC=25°C) | IDM | - | 37 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 200 | mJ |
    | 雪崩电流 | IAR | - | - | 9.2 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | - | - | 6.0 | mJ |
    | 最大功率耗散(TC=25°C) | PD | - | - | 60 | W |
    | 峰值二极管恢复 dV/dt | dV/dt | - | 5.5 | - | V/ns |
    | 运行结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 无卤素:符合 IEC 61249-2-21 标准定义,满足环保要求。
    2. 动态 dV/dt 等级:具有快速开关能力,确保高效的电力传输。
    3. 重复雪崩等级:允许更高的功率处理能力,适合高能效应用。
    4. 175 °C 工作温度:能够在高温环境下稳定运行。
    5. 并联简便:易于并联,增加系统的灵活性。
    6. 易用性:适用于自动化生产线,便于批量生产。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:可作为开关管,提高转换效率。
    - 电机控制:适用于驱动电机,提供稳定的电流输出。
    - 逆变器:用于 DC-AC 转换,提升系统整体性能。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,注意散热设计,确保器件正常工作。
    - 并联时需考虑均匀分配电流,避免局部过热。
    - 使用合适的驱动电路以减少开关损耗,提高效率。

    兼容性和支持


    FU120N-VB 可与其他标准电子元器件配合使用,适用于各种工业控制系统。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时发现器件温度过高
    - 解决方法:检查散热系统设计是否合理,必要时增加散热片或改进散热方式。
    2. 问题:驱动电路不稳定
    - 解决方法:调整驱动电阻和电容参数,确保驱动信号的稳定性。
    3. 问题:漏电流过大
    - 解决方法:检查电路接线是否正确,确认无短路现象,必要时更换更合适的驱动电路。

    总结和推荐


    总体而言,FU120N-VB N-Channel 100-V MOSFET 具有出色的性能参数和广泛的适用范围,非常适合在各种高功率和高温环境下使用。其无卤素特性使其成为环保意识较强的用户的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效、稳定电力转换的应用场合。

FU120N参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FU120N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FU120N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FU120N FU120N数据手册

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