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VBK5213N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,2.5/-1.5A,RDS(ON),130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V) 封装:SC-70-6
供应商型号: 14M-VBK5213N SC-70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBK5213N

VBK5213N概述

    VBK5213N MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    VBK5213N 是一款适用于便携式设备负载开关的电子元器件,它结合了N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET)的优势。此产品主要用于提高电路的效率和灵活性,特别适合用于智能手机、平板电脑等移动设备中的电源管理模块。通过采用先进的沟槽技术(TrenchFET®),该产品能在较低的电压下实现高效能切换。

    2. 技术参数


    - 工作电压范围:VDS (D-S电压) = 20 V
    - 漏源导通电阻:
    - N-Channel:在 VGS = 4.5 V 时,RDS(on) = 0.090 Ω
    - P-Channel:在 VGS = -4.5 V 时,RDS(on) = 0.155 Ω
    - 最大连续电流:
    - N-Channel:在 TA = 25 °C 时,ID = 3.28 A;在 TA = 85 °C 时,ID = 2.12 A
    - P-Channel:在 TA = 25 °C 时,ID = 2.80 A;在 TA = 85 °C 时,ID = 1.72 A
    - 总电容值:Ciss (输入电容) 最大为160 pF
    - 热阻抗:稳态下的 RthJA 最大为220 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:N-Channel 在 VGS = 4.5 V 时的 RDS(on) 仅为 0.090 Ω,P-Channel 在 VGS = -4.5 V 时的 RDS(on) 为 0.155 Ω。这有助于降低功耗并提高效率。
    - 快速开关:N-Channel 的 turn-on delay 时间最短为15 ns,turn-off delay 时间最短为25 ns,适用于需要高频操作的应用。
    - 紧凑封装:采用 SC-70 封装,尺寸小巧,适合便携式设备有限的空间设计。
    - 环保材料:根据IEC 61249-2-21标准定义,产品无卤素,符合RoHS指令要求,环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:在便携式设备如智能手机和平板电脑的负载开关中,VBK5213N 可以有效地管理电池供电电路的功率转换,确保高效且稳定的电力供应。
    - 使用建议:为了充分发挥VBK5213N的性能,在设计电路时应注意合理安排散热措施,以避免高温对性能的影响。例如,可以使用铝制散热片或设计良好的散热路径来帮助散热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准封装相同的元器件具有良好的兼容性,可以在现有的设计中进行替换,而无需大幅度改动电路布局。
    - 厂商支持:台湾VBsemi Electronics提供详尽的技术支持,包括但不限于规格更新、产品咨询和售后服务。如有需要,可联系官方服务热线400-655-8788获取进一步的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下电流限制
    - 解决办法:确保系统内所有相关部件的温度不超过最大工作温度限制,必要时添加外部散热装置。
    - 问题2:过冲电流导致的损坏
    - 解决办法:在电路设计中加入合适的保护机制,如瞬态抑制二极管(TVS)以吸收可能产生的电压尖峰。

    7. 总结和推荐


    总体而言,VBK5213N MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关能力和环保的设计,成为便携式设备中负载开关的理想选择。推荐在需要高效率、稳定性和紧凑设计的应用中使用该产品。对于具体的应用需求,建议咨询专业的技术人员,以获得最佳的解决方案。

VBK5213N参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 ±20V
Id-连续漏极电流 2.5A,1.5A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±600mV~2V
FET类型 N+P沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBK5213N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBK5213N数据手册

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VBK5213N封装设计

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