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HM4410

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 30V 13A 8mΩ@10V SO-8
供应商型号: 14M-HM4410 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM4410

HM4410概述


    产品简介


    HM4410-VB N-Channel MOSFET
    HM4410-VB是一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET,主要用于笔记本CPU核心的高侧开关。该产品采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻、优化的栅极电荷和高可靠性等特点,广泛应用于各种需要高效能开关的电路设计中。

    技术参数


    - 主要参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 连续漏电流 \( ID \): 13A(\( TC = 25^\circ C \))
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 45A
    - 静态漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 0.008Ω @ \( V{GS} = 10V \)
    - 0.011Ω @ \( V{GS} = 4.5V \)
    - 电气特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 80pF(\( V{DS} = 15V, V{GS} = 0V, f = 1MHz \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 165pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 73pF(\( V{DS} = 15V, V{GS} = 10V, ID = 10A \))
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 15nC ~ 23nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 2.5nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 2.3nC
    - 栅极电阻 \( Rg \): 0.36Ω ~ 3.6Ω(\( f = 1MHz \))
    - 工作环境
    - 工作温度范围 \( TJ \): -55°C ~ +150°C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C ~ +150°C
    - 最大功率耗散 \( PD \): 2.2W(\( TA = 25^\circ C \)),1.3W(\( TA = 70^\circ C \))
    - 热阻 \( R{thJA} \): 39°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:HM4410-VB在不同栅源电压下的低导通电阻确保了高效能的开关操作,特别是在高电流条件下。
    2. 优化栅极电荷:总栅极电荷为15nC ~ 23nC,有助于降低功耗并提高开关速度。
    3. 高可靠性:100% Rg测试和100% UIS测试保证了产品的长期稳定性和可靠性。
    4. 卤素无害:符合RoHS和无卤标准,适用于环保要求高的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本CPU核心的高侧开关:在高性能笔记本电脑中,HM4410-VB被用于高侧开关,以提高电源转换效率。
    使用建议
    1. 散热设计:由于高电流操作会产生热量,需合理设计散热系统,确保结温不超过150°C。
    2. 驱动电路设计:根据技术手册中的输入电容和输出电容参数,设计合适的驱动电路,以减少开关损耗。
    3. 应用电路保护:为了防止过压和过流,可以在电路中加入适当的保护措施,如TVS二极管。

    兼容性和支持


    HM4410-VB采用标准SO-8封装,便于与其他标准封装的电子元器件兼容。此外,制造商提供了详细的技术支持和服务热线(400-655-8788),可帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过热导致性能下降。
    - 解决方案:加强散热设计,增加散热片或散热风扇,避免长时间过载运行。
    2. 问题:栅极噪声干扰导致不稳定。
    - 解决方案:增加栅极电阻,减小栅极电压波动;使用屏蔽线缆,减少外部噪声干扰。
    3. 问题:开关频率过高导致功耗增加。
    - 解决方案:适当降低开关频率,优化驱动电路,减少不必要的高频振荡。

    总结和推荐


    HM4410-VB N-Channel MOSFET是一款优秀的高侧开关解决方案,具备低导通电阻、优化的栅极电荷和高可靠性等特点。它适用于笔记本CPU核心和其他高效率开关应用。经过全面的测试和优化,这款MOSFET能够提供卓越的性能,强烈推荐在高要求的电路设计中使用。

HM4410参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM4410厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM4410数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM4410 HM4410数据手册

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