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BS170FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 0.25A 2.8Ω@10V SOT23-3
供应商型号: 14M-BS170FTA SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BS170FTA

BS170FTA概述

    # BS170FTA-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    BS170FTA-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻(RDS(on))和高速开关速度,适用于各种逻辑电平接口和驱动应用。该产品的主要特点包括低阈值电压、低输入电容和快速开关速度,使其非常适合用于电池供电系统、固态继电器和多种驱动应用。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 60V (VGS = 0V, ID = 10 µA)
    - 栅阈电压 \(V{GS(th)}\): 1 ~ 2.5V (VDS = VGS, ID = 250 µA)
    - 栅体泄漏电流 \(I{GSS}\): ±10 µA (VDS = 0V, VGS = ±20V)
    动态参数
    - 总栅电荷 \(Qg\): 0.4 ~ 0.6 nC (VDS = 10V, VGS = 4.5V)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 25 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 5 pF
    - 开关时间:
    - 开启时间 \(t{d(on)}\): 20 ns
    - 关闭时间 \(t{d(off)}\): 30 ns
    极限参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 60V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏极电流 (TA = 25°C): 250 mA
    - 脉冲漏极电流 (PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2%): 800 mA
    - 最大功耗 (TA = 25°C): 0.30 W
    工作条件
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    特点
    - 低阈值电压: 2V (典型值)
    - 低输入电容: 25 pF
    - 快速开关速度: 25 ns
    - 低输入和输出泄漏
    - TrenchFET® 技术
    优势
    - 低偏置电压
    - 低压操作
    - 易于驱动,无需缓冲
    - 适合高速电路
    - 低误差电压

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直接逻辑电平接口: TTL/CMOS
    - 驱动应用: 继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示屏、存储器、晶体管等
    - 电池供电系统
    - 固态继电器
    使用建议
    - 在电池供电系统中,由于低功耗和低导通电阻,可以提高系统的能效。
    - 在高速电路中,由于快速开关时间和低误差电压,适合高精度控制应用。
    - 在驱动应用中,低输入电容使得驱动更加简单,减少外部电路复杂性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与其他标准SOT-23封装的电子元器件和设备兼容。
    - 支持: VBsemi公司提供详尽的技术文档和客户支持。如有任何技术问题,可联系服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1: 漏源电压过高
    解决方案: 确保VDS不超过极限值60V,避免过压损坏。
    问题2: 栅源电压超限
    解决方案: 确保VGS不超过极限值±20V,以防止栅极击穿。
    问题3: 脉冲电流过大
    解决方案: 确保脉冲宽度不超过300 µs,占空比不超过2%,避免过热损坏。

    总结和推荐


    综合评估
    BS170FTA-VB 是一款高性能的N-Channel MOSFET,具备低阈值电压、低输入电容和快速开关速度等优点,广泛应用于逻辑电平接口、驱动应用、电池供电系统和固态继电器等领域。其可靠性和性能在同类产品中表现优异,且支持RoHS和无卤素标准,符合现代电子产品的需求。
    推荐
    基于其出色的性能和适用范围,强烈推荐该产品用于需要高精度和高速度控制的应用场合。对于寻找高效能MOSFET的工程师和技术人员来说,BS170FTA-VB是一个理想的选择。

BS170FTA参数

参数
栅极电荷 0.6nC@ 10V
Id-连续漏极电流 250mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF@25V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300mW
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BS170FTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BS170FTA数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BS170FTA BS170FTA数据手册

BS170FTA封装设计

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