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VBE1251K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBE1251K TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE1251K

VBE1251K概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件。其主要功能是通过控制栅极电压来实现对大电流的开关控制,从而实现高效能量转换和电流控制。这种器件在开关电源、电机驱动、LED照明系统及各种工业控制装置中都有着广泛应用。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):250 V
    - RDS(on)(导通电阻):在VGS=10 V时为0.64 Ω
    - Qg(总栅电荷):最大值为14 nC
    - Qgs(栅源电荷):2.7 nC
    - Qgd(栅漏电荷):7.8 nC
    - 配置:单个N通道MOSFET
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压):250 V
    - VGS(栅源电压):± 20 V
    - 连续漏极电流:在VGS=10 V且TC=25 °C时为4.5 A;在TC=100 °C时为3.0 A
    - 脉冲漏极电流:16 A
    - 最大功耗:在TC=25 °C时为45 W;在PCB安装下为2.5 W
    - 其他关键参数
    - 单脉冲雪崩能量:130 mJ
    - 重复雪崩电流:4.5 A
    - 重复雪崩能量:5.2 mJ
    - 热阻抗:在PCB安装下RthJA的最大值为50 °C/W
    - 工作温度范围:-55 °C到+150 °C

    产品特点和优势


    动态dv/dt额定值 和 重复雪崩额定值 是这款MOSFET的独特优势,使其能够在高能应用中稳定可靠地运行。快速开关特性 和 易于并联 使其适用于需要快速响应和高功率处理的应用场景。此外,此器件还可采用卷带包装形式,方便自动化生产和组装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:作为电源转换电路中的主开关器件,其高效率和高速开关特性使其成为理想选择。
    2. 电机驱动:用于驱动电动机的功率转换,以控制电机的转速和方向。
    3. LED照明:用于调节和控制LED灯的电流和电压。
    使用建议
    - 在使用该器件进行开关电源设计时,确保充分考虑热管理,以避免因高温导致的可靠性降低。
    - 对于大电流应用,应合理设计PCB布局,减少寄生电感,以避免电压尖峰。

    兼容性和支持


    该MOSFET设计符合标准的DPAK封装,易于与其他标准器件配合使用。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。此外,公司还提供了一系列开发工具和参考资料,以便客户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备发热严重 | 改善散热设计,确保良好的热管理 |
    | 开关时间不稳定 | 检查栅极驱动电路,调整合适的驱动电阻 |
    | 电流波动大 | 优化PCB布局,减少寄生电感 |

    总结和推荐



    总结


    VBsemi的这款Power MOSFET具有出色的动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值和快速开关特性,使其成为多种电力电子应用的理想选择。其高可靠性和多功能性使得该产品在市场上具备较强的竞争力。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐使用此款Power MOSFET,特别是在需要高性能电力转换和控制的应用场景中。

VBE1251K参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@10V,960mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE1251K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE1251K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE1251K VBE1251K数据手册

VBE1251K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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