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DMN3033LSN-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V);SOT23
供应商型号: 14M-DMN3033LSN-7 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7概述

    DMN3033LSN-7-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    DMN3033LSN-7-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道增强型30V(漏极-源极)MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用设计。其采用先进的TrenchFET技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,广泛应用于DC/DC转换器及类似电子设备中。

    2. 技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术规格:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | - | - | 30 | V |
    | 持续漏极电流 (TJ=150°C) | - | 6.5 | - | A |
    | 导通电阻(典型值) | 0.030 | - | 0.033 | Ω |
    | 零栅极电压漏极电流 | - | - | 1 | µA |
    | 工作温度范围 | -55 | - | 150 | °C |
    其他特性包括符合RoHS指令2002/95/EC和IEC 61249-2-21标准,并具备无卤素设计。该器件的最大功率耗散为1.7W,适用于广泛的稳态条件。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)在典型工作条件下仅为0.030至0.033Ω,显著降低功耗和热损耗。
    - 高可靠性:100% Rg测试确保每颗器件均经过严格筛选,提高长期稳定性。
    - 绿色环保设计:符合RoHS标准,无卤素设计,满足环保要求。
    - 快速开关性能:总栅极电荷(Qg)低至4.5nC,适配高频开关应用。
    这些特性使该器件成为高性能电源管理和便携式设备的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - DC/DC转换器:用于高效电压转换,特别是在有限空间和散热条件下。
    - 电机驱动电路:适合小型化设计,能提供稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 确保电路布局合理,特别是PCB接地与电源层的设计,以减少寄生效应。
    - 考虑热管理措施,如增加散热片或优化空气流通路径,以避免过温保护。

    5. 兼容性和支持


    该器件采用标准的SOT-23封装,能够轻松集成到现有系统中。VBsemi提供详尽的技术支持和售后服务,包括应用指南、故障排除工具以及在线客户支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热片面积或改进气流设计 |
    | 开关速度慢 | 减少门极电阻(Rg),优化电路布局 |
    | 切换时出现不稳定现象 | 检查输入信号质量和外部电路耦合情况 |

    7. 总结和推荐


    DMN3033LSN-7-VB是一款具有卓越性能和高可靠性的N沟道MOSFET,尤其适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。其较低的导通电阻、出色的开关性能和环保设计使其在市场上极具竞争力。强烈推荐此产品用于DC/DC转换器和其他电源管理相关领域。
    如需更多技术支持或定制需求,请联系VBsemi官方客服热线:400-655-8788 或访问官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

DMN3033LSN-7参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 335pF
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

DMN3033LSN-7厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

DMN3033LSN-7数据手册

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