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NCEP0178AK

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NCEP0178AK TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCEP0178AK

NCEP0178AK概述

    # N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP0178AK-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 100-V(漏源电压)功率 MOSFET。该产品适用于多种应用场景,如电源转换、逆变器以及电机控制等领域。其主要功能包括作为开关器件和隔离式 DC/DC 转换器的主要侧开关。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\):100 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C):\(ID\) 在 25 °C 时为 85 A,在 125 °C 时为 75 A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\):75 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):280 mJ
    - 最大功耗 \(PD\):176 W (TA = 25 °C),3.75 W (TJ)
    - 工作结温和存储温度范围 \(T{stg}\):-55 至 175 °C
    额定条件下的规格
    - 静态
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):100 V
    - 栅阈值电压 \(V{GS(th)}\):1 至 4 V
    - 栅体泄漏 \(IGSS\):±100 nA
    - 零栅电压漏极电流 \(IDSS\):1 μA
    - 开态漏极电流 \(ID(on)\):50 A
    - 动态
    - 输入电容 \(C{iss}\):400 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):565 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\):205 pF
    - 总栅电荷 \(Qg\):105 至 160 nC
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\):17 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\):23 nC
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\):12 至 25 ns
    - 上升时间 \(tr\):90 至 135 ns
    - 关断延迟时间 \(t{d(off)}\):55 至 85 ns
    - 下降时间 \(tf\):130 至 195 ns

    产品特点和优势


    NCEP0178AK-VB 具备以下特点:
    - 使用 TrenchFET® 技术,提高效率并减少导通电阻。
    - 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保高可靠性和性能一致性。
    - 适用于多种应用场景,如隔离式 DC/DC 转换器和电源转换器。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 主要侧开关
    - 隔离式 DC/DC 转换器
    使用建议
    在使用过程中,确保按照绝对最大额定值限制使用,以避免器件损坏。在高频率开关应用中,注意栅电荷的影响,以便优化电路设计。

    兼容性和支持


    该产品采用 TO-252 封装,符合 DPAK 封装标准,易于安装和使用。VBsemi 公司提供技术支持和维护服务,具体联系方式如下:
    - 服务热线:400-655-8788

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    - 问题: 开关过程中发热过高
    - 解决办法: 确保良好的散热设计,使用合适尺寸的散热片。
    - 问题: 寿命较短
    - 解决办法: 选择合适的驱动电压和电流,避免超过绝对最大额定值。
    - 问题: 噪声干扰
    - 解决办法: 使用适当的滤波电容,减少噪声。

    总结和推荐


    NCEP0178AK-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备优秀的热稳定性和低导通电阻,适合于多种电源管理应用。其独特的 TrenchFET® 技术和严格的质量控制使其在市场上具有显著的竞争优势。总的来说,该产品值得推荐用于需要高效、可靠的开关应用场合。

NCEP0178AK参数

参数
Id-连续漏极电流 85A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 210W
栅极电荷 65nC@ 50V
Rds(On)-漏源导通电阻 0.022Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 30 A,TJ = 175 °C
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCEP0178AK厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCEP0178AK数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCEP0178AK NCEP0178AK数据手册

NCEP0178AK封装设计

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型号 价格(含增值税)
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