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DMP6180SK3-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-DMP6180SK3-13 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13概述

    DMP6180SK3-13-VB P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

    产品简介


    DMP6180SK3-13-VB 是一种P沟道60伏(D-S)功率MOSFET,采用TO-252封装。这款MOSFET具有高可靠性、快速开关能力和低导通电阻的特点,广泛应用于负载开关等场合。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): -60V
    - 栅极漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 源漏二极管正向电压 \( V{SD} \): -0.9至-1.3V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): -30A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 7.2mJ
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -20A
    - 导通特性
    - 导通电阻 \( r{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10V \),\( ID = -5A \) 时:0.100Ω
    - 在 \( V{GS} = -4.5V \),\( ID = -2A \) 时:0.072Ω
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1000pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 120pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 100pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 10nC
    - 栅极电荷 \( Q{gs} \): 2.1nC
    - 栅极电荷 \( Q{gd} \): 3.2nC
    - 热阻
    - 结至环境热阻 \( R{thJA} \): 25°C/W
    - 结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 5°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:采用先进的TrenchFET技术,实现更低的导通电阻和更高的效率。
    2. 100% UIS测试:通过100% UIS(Unclamped Inductive Switching)测试,确保在短路条件下仍能可靠工作。
    3. 低导通电阻:在典型条件下,漏源导通电阻 \( r{DS(on)} \) 仅为0.072Ω,适用于需要高效率的应用。
    4. 快速开关特性:由于低输入和输出电容,具有较快的开关速度,适用于高频电路设计。

    应用案例和使用建议


    1. 负载开关:DMP6180SK3-13-VB广泛用于负载开关,例如电源管理和电池管理系统。建议在选择此器件时考虑其导通电阻和热特性。
    2. 电源管理:由于其高可靠性,它也可用于电源管理电路,以确保系统的稳定运行。在设计电路时,建议根据具体应用场景进行详细的热设计和电气参数计算。

    兼容性和支持


    DMP6180SK3-13-VB 支持表面贴装安装,符合TO-252封装标准。厂商提供了全面的技术支持,包括技术文档、样品申请和应用指南。如有任何疑问,可联系服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热严重
    - 解决方案:检查散热片是否接触良好,适当增加散热片面积或采用散热风扇,以提高散热效果。
    2. 问题:开启延迟时间过长
    - 解决方案:减少栅极电阻值,降低门极驱动电阻,可以加快开关速度。
    3. 问题:无法达到预期电流
    - 解决方案:检查连接线路是否有断点或接触不良,确保电路连接正常且无阻抗。

    总结和推荐


    DMP6180SK3-13-VB凭借其低导通电阻、高可靠性以及快速开关特性,在负载开关和其他应用中表现出色。其采用的TrenchFET技术显著提高了性能。对于需要高效、可靠功率开关的应用,我们强烈推荐使用DMP6180SK3-13-VB。

DMP6180SK3-13参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 30A
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 17.1nC
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 984.7pF
最大功率耗散 1.7W
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

DMP6180SK3-13厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

DMP6180SK3-13数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 DMP6180SK3-13 DMP6180SK3-13数据手册

DMP6180SK3-13封装设计

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