处理中...

首页  >  产品百科  >  FDC8878

FDC8878

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-FDC8878 SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDC8878

FDC8878概述

    FDC8878-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FDC8878-VB是一款来自台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.的N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于高开关速度的直流-直流转换器等应用场合。此款MOSFET采用了TrenchFET®技术,具备低导通电阻(RDS(on)),并且所有器件均经过100%栅极电阻(Rg)测试。FDC8878-VB符合RoHS和无卤素的要求,具有出色的稳定性和可靠性。

    2. 技术参数


    - 工作电压: VDS最大值为30V
    - 栅极-源极电压: VGS范围为±20V
    - 连续漏极电流: TA=25°C时为6A;TA=70°C时为5.5A
    - 脉冲漏极电流: IDM最大值为25A(t≤300μs,占空比≤2%)
    - 漏源间二极管的最大连续电流: IS最大值为2.1A
    - 最大功耗: TA=25°C时为2.5W;TA=70°C时为1.6W
    - 存储和工作温度范围: TJ, Tstg范围为-55°C到150°C
    - 热阻抗: RthJA最大值为100°C/W;RthJF最大值为50°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: FDC8878-VB的导通电阻仅为0.023Ω(VGS=10V, ID=5.5A)和0.027Ω(VGS=4.5V, ID=5A),这使得它在高效率的电源转换和驱动应用中表现出色。
    - TrenchFET®技术: 这种先进的制造工艺可以显著提高器件的性能,降低开关损耗。
    - 无卤素设计: 符合IEC 61249-2-21定义,确保环保友好性。
    - RoHS兼容: 通过RoHS指令2002/95/EC认证,保证产品符合欧盟环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例: FDC8878-VB适用于各种高效率的DC/DC转换器和高速开关应用。这些应用场景要求低导通电阻以减少损耗,并能处理较高的脉冲电流而不损坏。
    使用建议:
    - 散热管理: 考虑到高功率应用中的热量累积,建议使用适当的散热片或冷却系统来保持器件工作温度。
    - 电路布局: 由于MOSFET的栅极寄生电容,应尽量缩短驱动信号线以减少延迟时间和噪声干扰。
    - 过流保护: 在设计电路时,添加过流保护措施以避免器件因过载而受损。

    5. 兼容性和支持


    FDC8878-VB采用标准的TSOP封装,适合与市场上大多数PCB布局工具兼容。VBsemi提供良好的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用产品的全部潜力。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何测量MOSFET的栅极电阻?
    - A: 使用数字万用表,选择欧姆档位,并将两个探针分别接触MOSFET的栅极和源极进行测量。

    - Q: 在高温环境下,如何保证MOSFET的正常工作?
    - A: 使用合适的散热器并结合有效的散热策略,如风冷或水冷,确保MOSFET的工作温度不超过其绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    FDC8878-VB以其低导通电阻、TrenchFET®技术以及优秀的电气性能,在多种高效率的直流-直流转换器和其他高开关速度的应用中表现出色。此外,其环保设计和良好的稳定性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,我们强烈推荐此产品给需要高性能功率转换的工程师和设计师。

FDC8878参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.027Ω@VGS = 4.5 V,ID = 5 A(typ)
最大功率耗散 2.5W
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDC8878厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDC8878数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDC8878 FDC8878数据手册

FDC8878封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4774
库存: 148
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.38
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336