处理中...

首页  >  产品百科  >  HAT2114RJ

HAT2114RJ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-HAT2114RJ SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HAT2114RJ

HAT2114RJ概述

    HAT2114RJ-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HAT2114RJ-VB 是一款双 N-沟道 60 V(漏-源)TrenchFET® 功率 MOSFET。它被广泛应用于各种电力转换和控制应用中,如开关电源、马达驱动和工业自动化设备。此款 MOSFET 采用了先进的 TrenchFET® 技术,具有较低的导通电阻和较高的功率处理能力。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏-源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 门-源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.0 | 2.5 | V |
    | 门-源泄漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 导通漏极电流 | ID(on) | - | - | 20 | A |
    | 漏-源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.028 | - | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | - | 15 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 600 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 110 | 140 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 50 | 62 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 11 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 1.8 | 2.7 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 2.8 | 4.2 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: 在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 为 0.028 Ω,能够显著降低功耗。
    - 高可靠性: 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保了长时间的稳定运行。
    - 高温操作: 能够在高达 175°C 的温度下正常工作,适用于严苛的工业环境。
    - 快速开关: 快速的开关时间和较低的门电阻,使得其在高频应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源: 在设计开关电源时,可以利用其低导通电阻特性来减少损耗。
    - 电机驱动: 适用于需要频繁启停的应用场合,如电动工具和机器人。
    - 温度传感器: 利用其在极端温度下的稳定性,适用于温度传感器的信号放大。
    使用建议:
    - 确保电路板布局合理,以降低杂散电感对开关性能的影响。
    - 使用适当的栅极电阻,以确保稳定的开关性能和降低电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - HAT2114RJ-VB 采用标准的 O-8 封装,与市场上主流的封装兼容。
    - 厂商提供详细的技术支持,包括设计指南和样品请求。服务热线为 400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方法: 优化散热设计,增加散热片或者采用强制风冷。
    - 问题: 导通电阻异常增大。
    - 解决方法: 检查 VGS 是否达到导通阈值,调整驱动电路。

    7. 总结和推荐


    HAT2114RJ-VB 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,特别适合用于电力转换和控制应用。其出色的耐高温能力和低导通电阻使其成为多种工业应用的理想选择。综上所述,强烈推荐使用此款 MOSFET。

HAT2114RJ参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.081Ω@VGS = 10 V ID = 4.5 A,TJ = 175 °C
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HAT2114RJ厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HAT2114RJ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HAT2114RJ HAT2114RJ数据手册

HAT2114RJ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3104
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336