处理中...

首页  >  产品百科  >  IRLML6344GTRPBF

IRLML6344GTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V);SOT23
供应商型号: 14M-IRLML6344GTRPBF SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLML6344GTRPBF

IRLML6344GTRPBF概述

    IRLML6344GTRPBF-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IRLML6344GTRPBF-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和高可靠性。它的主要功能是在直流/直流转换器(DC/DC Converter)中实现高效的电流控制。该产品采用 TO-236 封装(SOT-23),适合广泛的应用领域,包括但不限于消费电子、通信设备、工业自动化等。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 6.5 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 25 | A |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | 0.030 @ 10V, 3.2A | - | 0.033 @ 4.5V, 2.8A | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | 2.1 | - | 6.7 | nC |

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 定义,环保且安全可靠。
    - 沟槽技术:采用 TrenchFET® 技术,提高效率并减少损耗。
    - 全面测试:所有产品都通过 100% 的 Rg 测试,确保一致的质量。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适用于各类环保要求严格的场合。

    应用案例和使用建议


    IRLML6344GTRPBF-VB 主要应用于 DC/DC 转换器,用于管理电路中的电流流动。为了更好地利用这款 MOSFET,建议在设计时充分考虑散热措施,以避免过热导致的性能下降。例如,在某些高功耗应用场景下,可以采用外部散热片来提高散热效率,从而延长产品寿命。

    兼容性和支持


    IRLML6344GTRPBF-VB 与其他常见的 SOT-23 封装产品具有良好的兼容性,可以轻松替换现有的电路板。制造商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南和故障排除手册,以便客户能够充分利用其优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高温环境下,导通电阻增加。
    - 解决方案: 使用外部散热装置以帮助散热,降低工作温度。
    2. 问题: 过高的栅极电压可能导致器件损坏。
    - 解决方案: 确保栅极电压不超过额定值,使用适当的保护电路防止过压。
    3. 问题: 频繁的开关操作导致效率下降。
    - 解决方案: 使用合适的驱动电路和布局优化,减小开关损耗。

    总结和推荐


    总体来看,IRLML6344GTRPBF-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和良好的环保特性。它非常适合于各种需要高效电流控制的应用场合。对于追求高性能和可靠性的工程师来说,这款产品是理想的选择。因此,我们强烈推荐在相关的电路设计中使用 IRLML6344GTRPBF-VB。

IRLML6344GTRPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLML6344GTRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLML6344GTRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLML6344GTRPBF IRLML6344GTRPBF数据手册

IRLML6344GTRPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.2142
库存: 1000
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 1.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336