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NTR0202PLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NTR0202PLT1G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR0202PLT1G

NTR0202PLT1G概述


    产品简介


    NTR0202PLT1G-VB MOSFET
    NTR0202PLT1G-VB 是一款 P 沟道增强型 20V(漏-源)功率 MOSFET。它主要应用于负载开关和功率放大器开关等领域。这款 MOSFET 基于 TrenchFET® 技术,具备出色的低导通电阻特性,可以有效降低电路中的功率损耗。

    技术参数


    - 最大漏源电压 \(V{DS}\):20V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\):±12V
    - 连续漏极电流 \(ID\)(\(TJ = 150°C\)):
    - \(TC = 25°C\) 时:-4A
    - \(TC = 70°C\) 时:-3.2A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):-10A
    - 连续源漏二极管电流 \(IS\)(\(TC = 25°C\)):-2.5A
    - 最大功耗 \(PD\)(\(TC = 25°C\)):2.5W
    - 最大功耗 \(PD\)(\(TC = 70°C\)):1.6W
    - 工作温度范围 \(T{J}\):-55°C 至 150°C
    - 热阻 \(R{thJA}\):75°C/W(最大)
    - 输入电容 \(C{iss}\)(\(V{DS} = -10V\), \(V{GS} = 0V\), \(f = 1MHz\)):835pF
    - 输出电容 \(C{oss}\)(\(V{DS} = -10V\), \(V{GS} = -4.5V\), \(ID = -3.1A\)):180pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\):155pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\)(\(V{DS} = -10V\), \(V{GS} = -2.5V\), \(ID = -3.1A\)):6.4nC
    - 门电阻 \(Rg\)(\(f = 1MHz\)):0.9Ω(最小),4.4Ω(典型),8.8Ω(最大)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 \(R{DS(on)}\):在 \(V{GS} = -10V\) 和 \(ID = -3A\) 条件下,\(R{DS(on)}\) 为 0.060Ω;在 \(V{GS} = -4.5V\) 和 \(ID = -2.5A\) 条件下,\(R{DS(on)}\) 为 0.065Ω。这使得器件在高频应用中表现出色。
    2. 快速响应时间:具有较低的开启延迟时间 \(t{d(on)}\) 和关闭延迟时间 \(t{d(off)}\)。
    3. 低输入电容和输出电容:减少驱动功率,提高工作效率。
    4. 符合 RoHS 和无卤素标准:满足环保要求,适用于多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:在工业控制、自动化设备中用于控制负载的接通和断开。
    - 功率放大器开关:适用于无线通信系统中作为射频功率放大器的开关组件。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,需要考虑器件的总栅极电荷 \(Qg\),以确保驱动电路的设计合理。
    - 注意散热管理,特别是在高温环境下运行时,要通过有效的热设计避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用 TO-236 (SOT-23) 封装,易于与多种 PCB 设计兼容。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术支持文档,包括详细的电路设计指南和故障排除步骤。如需更多帮助,可通过官方服务热线 400-655-8788 获取支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温环境下运行时过热。
    - 解决方案:增加散热片或风扇来改善散热条件,确保设备正常运行。
    2. 问题:驱动信号不稳定导致器件损坏。
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保驱动信号稳定且驱动能力足够。
    3. 问题:工作电流超出限制。
    - 解决方案:根据具体应用场景调整外部电路设计,确保工作电流不超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    综合评估:NTR0202PLT1G-VB MOSFET 展现出了优异的低导通电阻特性,具备快速响应时间和低输入输出电容,使其成为高频开关应用的理想选择。其紧凑的封装和良好的热管理特性使其适用于多种应用场景。
    推荐使用:鉴于其出色的技术参数和广泛的应用范围,NTR0202PLT1G-VB MOSFET 推荐用于工业控制、电源管理和无线通信等领域的高频开关应用。

NTR0202PLT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 116A
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 10V,60A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 835pF@10V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
最大功率耗散 180W
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 12V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTR0202PLT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR0202PLT1G数据手册

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NTR0202PLT1G封装设计

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