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NTD50N03T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NTD50N03T4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD50N03T4G

NTD50N03T4G概述

    NTD50N03T4G-VB MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    NTD50N03T4G-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TrenchFET技术,具有高可靠性和良好的热稳定性。这种类型的晶体管广泛应用于各种电路设计中,特别是在服务器电源、直流到直流转换器(DC/DC)以及冗余切换(OR-ing)电路中表现卓越。

    技术参数


    以下是NTD50N03T4G-VB的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TA = 25°C 时: 25.8A
    - TA = 70°C 时: 22A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 250A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8mJ
    - 栅极电阻 (Rg): 1.4Ω 至 2.1Ω
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时: 0.005Ω
    - VGS = 4.5V 时: 0.006Ω
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0V 至 2.5V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): 1µA

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:NTD50N03T4G-VB 经过100% Rg和UIS测试,确保其在长期使用中的稳定性和可靠性。
    2. 兼容RoHS标准:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,适用于环保要求严格的场合。
    3. 优越的热稳定性:热阻较低,有助于延长器件寿命并提高系统的整体性能。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 服务器电源:作为主控开关管,控制电源供应。
    - 直流到直流转换器 (DC/DC):用于调节不同电压之间的转换。
    - 冗余切换 (OR-ing):在系统出现故障时提供备用电源路径。
    2. 使用建议:
    - 确保散热良好,避免因过热导致的损坏。
    - 在实际应用中,可根据不同的电压和电流需求选择合适的栅源电压 (VGS),以优化导通电阻 (RDS(on)) 和开关性能。
    - 定期检测和维护,确保器件正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTD50N03T4G-VB 可以与其他标准尺寸和接口的电子元器件无缝兼容。
    - 支持:VBsemi提供了详细的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 漏电流过大?
    - A: 检查栅极电阻 (Rg) 是否设置正确。如需要调整,可适当减小Rg以降低漏电流。
    2. Q: 温度过高?
    - A: 增加散热措施,例如安装散热片或散热风扇。
    3. Q: 开关速度慢?
    - A: 检查栅极电荷 (Qg) 和栅极电阻 (Rg),优化这些参数可以提高开关速度。

    总结和推荐


    NTD50N03T4G-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合于需要高电流、低导通电阻的应用场合。它的设计保证了高效率和长时间运行的稳定性。通过以上描述和技术参数分析,强烈推荐在高可靠性要求的电子系统中使用这款产品。

NTD50N03T4G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 0.006Ω@VGS = 4.5 V,ID = 37 A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 80A
通道数量 -
最大功率耗散 205W
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD50N03T4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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