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VBA3316SD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8/10A,RDS(ON),18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: VBA3316SD SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA3316SD

VBA3316SD概述


    产品简介


    产品名称: Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode (型号: VBA3316SD)
    产品类型: 双通道N沟道30V MOSFET,集成肖特基二极管
    主要功能:
    - PWM优化: 专为脉宽调制(PWM)设计,适用于笔记本电脑和低电流DC-DC转换。
    - 高温稳定性: 在高温条件下具有良好的稳定性和可靠性。
    - 高效率: 集成肖特基二极管显著提高系统效率。

    应用领域:
    - 笔记本电脑中的逻辑直流到直流转换
    - 低电流直流到直流转换
    - 其他需要高效能和稳定性的电源管理电路

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : |
    | 漏源电压 (VDS) | - | 30 | - | V |
    | 门源电压 (VGS) | -20 | ±20 | - | V |
    | 连续漏电流 (TC = 25°C) | 8.0 | - | 8.0 | A |
    | 脉冲漏电流 (10 µs脉宽) | - | 30 | - | A |
    | 正向肖特基二极管电压 (VSD) | - | 0.51 | - | V |
    | 正向肖特基二极管电流 (IS) | - | 2.0 | - | A |
    | 最大功率耗散 (TC = 25°C) | - | 2.9 | - | W |
    | 热阻 (RthJA) | - | 52 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    - PWM优化: 提供更高的工作效率和更稳定的输出,特别适合笔记本电脑和低电流DC-DC转换。
    - 高温稳定性: 通过严格的UIS测试和100% Rg测试,确保在高温环境下的稳定运行。
    - 高效率: 集成肖特基二极管,减少能量损耗,提高整体效率。
    - 无卤素和符合RoHS标准: 符合环保标准,广泛应用于多种电子产品中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑逻辑DC-DC转换: 利用其低电流消耗和高效率,提升电池寿命和系统性能。
    - 工业自动化控制: 在需要高效率和可靠性的应用中,如伺服电机驱动和变频器控制。
    - 通信设备: 在通信电源管理中,提升效率并降低功耗。
    使用建议:
    - 在高负载情况下,建议进行热管理以防止过热。
    - 对于快速开关的应用,可以利用其动态参数进行优化,以提高系统的总体性能。
    - 由于其内部集成肖特基二极管,建议在高频率工作时特别注意散热设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性: VBA3316SD与现有的大多数电路板设计兼容,特别是在SO-8封装的环境中。
    - 支持和服务: VBA3316SD由台湾VBsemi提供技术支持和售后服务,保证客户能够及时获得所需的技术帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | : | : |
    | 过热导致性能下降 | 加强散热设计,确保器件工作在正常温度范围内。 |
    | 开关速度慢 | 优化电路布局,降低线路寄生电容。 |
    | 功率耗散过大 | 采用更好的散热措施,例如增加散热片或改进散热路径。 |

    总结和推荐


    产品评估:
    - 优点:
    - 高效且稳定的PWM优化设计。
    - 集成肖特基二极管显著提高系统效率。
    - 宽泛的工作温度范围,适用于多种环境。
    - 不足:
    - 在极端环境下的耐久性仍需进一步验证。
    - 封装尺寸相对较大,对紧凑设计可能有一定限制。
    推荐:
    - 推荐使用: 推荐在笔记本电脑和其他需要高效率和低功耗的电路中使用,尤其是在需要长时间稳定工作的应用场合。
    - 应用场景: 适用于笔记本电脑逻辑DC-DC转换、工业自动化控制以及通信设备等领域。

VBA3316SD参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 6.8A,10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBA3316SD厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA3316SD数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBA3316SD VBA3316SD数据手册

VBA3316SD封装设计

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