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VBZE2810

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。一款单N型场效应晶体管,具有80V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),以及3V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为10V时,具有5mΩ的导通电阻,最大漏极电流(ID)为75A。采用Trench技术制造,封装为TO252。适用于广泛的电子设备和系统,包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块,在这些领域中发挥着重要的作用。
供应商型号: 14M-VBZE2810 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE2810

VBZE2810概述

    N-Channel 80V (D-S) MOSFET — 技术手册

    1. 产品简介


    这款N-Channel 80V (D-S) MOSFET是VBsemi公司推出的一款高性能TrenchFET®功率MOSFET,主要应用于各类电源管理和转换电路中。其主要功能包括高效率开关、同步整流及LED背光驱动等。具体应用领域包括:
    - 主边开关
    - 同步整流
    - 直流到交流逆变器
    - LED背光

    2. 技术参数


    以下是该N-Channel 80V (D-S) MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 漏源连续电流(TJ=150°C) | ID | 98 | - | - | A |
    | 门源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 最大功率耗散(TC=25°C) | PD | - | 180 | - | W |
    | 热阻抗(最大值) | RthJA | - | 25 | - | °C/W |
    其他关键参数包括:
    - 零门极电压漏极电流:1 μA
    - 门极泄漏电流:± 100 nA
    - 输出电容:950 pF
    - 总门极电荷:19 nC

    3. 产品特点和优势


    此款MOSFET具备如下显著优势:
    - 高效开关:低漏源电阻(RDS(on)),典型值为0.006Ω,保证高效率。
    - 可靠性:100%的栅极电阻和UIS测试,确保长期稳定性。
    - 适应性广泛:适用于多种电源管理和转换电路,如主边开关、同步整流、直流到交流逆变器等。

    4. 应用案例和使用建议


    在实际应用中,这款MOSFET常用于电源适配器、LED驱动器以及各种工业控制设备。使用建议包括:
    - 散热设计:确保良好的散热措施以避免过热,例如通过增加散热片或采用更大的PCB面积。
    - 电路布局:注意优化电路布局,减少引线电感,特别是在高频应用中。

    5. 兼容性和支持


    - 封装兼容性:此款MOSFET采用TO-252封装,与标准SMD兼容,易于表面贴装。
    - 制造商支持:VBsemi提供详细的技术支持文档和在线咨询服务,帮助用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:散热不良导致温度过高。
    解决方案:增加散热片,或改进PCB布局以增加散热面积。
    - 问题2:电路不稳定,无法正常工作。
    解决方案:检查门极电阻是否合适,确保输入电压稳定。
    - 问题3:启动时间过长。
    解决方案:检查并调整栅极驱动信号,优化启动时序。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 80V (D-S) MOSFET具有高效的性能、良好的可靠性和广泛的适用性。它不仅适用于各类电源管理和转换电路,还具备良好的市场竞争力。因此,强烈推荐该产品在各种电子设备的设计中使用。

VBZE2810参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 75A
Vds-漏源极击穿电压 80V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ(mΩ)
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE2810厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE2810数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE2810 VBZE2810数据手册

VBZE2810封装设计

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