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HM70P04K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -40V -50A 12mΩ@-10V TO-252
供应商型号: 14M-HM70P04K TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM70P04K

HM70P04K概述

    HM70P04K-VB P-Channel 40V MOSFET 技术手册

    产品简介


    HM70P04K-VB 是一款采用 TO-252 封装的 P 沟道 40V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电源转换和控制应用。其关键特性包括低热阻封装、高可靠性和出色的电气性能。

    技术参数


    以下是 HM70P04K-VB 的主要技术参数和规格:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VGS = 0 V, ID = -250 μA | -40 | - | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VDS = VGS, ID = -250 μA | -1.0 | - | -3.5 | V |
    | 栅极-源极漏电流 | VDS = 0 V, VGS = ± 20 V | - | - | ± 100 | nA |
    | 漏极-源极导通电阻 | VGS = -10 V, ID = -17 A | - | 0.012 | - | Ω |
    | 零栅压漏极电流 | VDS = -40 V | - | - | -1 | A |
    | 连续漏极电流 | TC = 25 °C | -50 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 - | - | -200 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IL = 0.1 mH | -40 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | TA = 25 °C | - | - | 80 | mJ |
    | 最大功率耗散 | TC = 25 °C | - | 136 | - | W |
    | 热阻 (结到环境) | PCB 安装 | - | 50 | - | °C/W |
    | 热阻 (结到外壳) - | 1.1 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    HM70P04K-VB 主要具有以下优势:
    1. 低热阻封装:这使得该 MOSFET 在高温环境下也能保持良好的性能。
    2. 高可靠性:通过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保产品的长期稳定性和可靠性。
    3. 快速开关性能:低输入电容和输出电容使其具有快速的开关速度,适用于高频电路。
    4. 紧凑的 TO-252 封装:易于安装和集成,适用于各种紧凑设计的应用场合。

    应用案例和使用建议


    HM70P04K-VB 广泛应用于电源管理和控制系统,例如开关电源、电池充电器、逆变器等。具体应用场景如下:
    - 电源转换器:利用其低导通电阻和快速开关特性,可以有效减少功耗和提高效率。
    - 电机驱动:适用于低功耗电机驱动电路,提供高效的控制和保护。
    - DC-DC 转换器:可作为高效的开关器件,实现直流电压的转换。
    使用建议:
    - 散热设计:尽管具备较低的热阻,但在高电流和高频率应用中仍需考虑有效的散热措施,如加装散热片或散热器。
    - 外围电路设计:合理选择驱动电阻以优化开关速度,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    HM70P04K-VB 与现有的大多数 TO-252 封装器件兼容,便于替换和升级。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关时出现过高的振荡。
    解决方案: 优化栅极电阻的选择,减小栅极驱动信号的振铃效应。

    2. 问题: 过温导致器件损坏。
    解决方案: 改进散热设计,增加散热片或散热器以增强散热效果。

    总结和推荐


    HM70P04K-VB P 沟道 MOSFET 具有低导通电阻、高可靠性及快速开关等显著优点,非常适合用于电源管理及控制领域。该产品具有较高的性价比和广泛的应用前景,强烈推荐在上述应用场景中使用。

HM70P04K参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM70P04K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM70P04K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM70P04K HM70P04K数据手册

HM70P04K封装设计

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