处理中...

首页  >  产品百科  >  BSS138-NL

BSS138-NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-BSS138-NL SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSS138-NL

BSS138-NL概述

    BSS138-NL-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    BSS138-NL-VB是一款N沟道增强型60V(漏极到源极)功率MOSFET,采用SOT-23封装。它广泛应用于逻辑电平接口、驱动电路、电池供电系统及固态继电器等领域。其设计适用于高速、低功耗的应用场景,是现代电子设备的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VGS = 0 V, ID = 10 μA | 60 V |
    | 栅极-阈值电压 | VDS = VGS, ID = 250 μA | 1 | 2.5 V |
    | 栅极-体泄漏电流 | VDS = 0 V, VGS = ± 20 V ±10 | μA |
    | 栅极-体泄漏电流 | VDS = 0 V, VGS = ± 15 V ±10 | μA |
    | 栅极-体泄漏电流 | VDS = 0 V, VGS = ± 10 V ±150 | nA |
    | 栅极-体泄漏电流 | VDS = 0 V, VGS = ± 10 V, TJ = 85°C ±1000 | nA |
    | 栅极-体泄漏电流 | VDS = 0 V, VGS = ± 5 V ±100 | nA |
    | 零栅电压漏电流 | VDS = 60 V, VGS = 0 V 1 | μA |
    | 零栅电压漏电流 | VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 125°C 500 | μA |
    | 导通漏电流 | VGS = 10 V, VDS = 7.5 V | 500 mA |
    | 导通漏电流 | VGS = 4.5 V, VDS = 10 V | 300 mA |
    | 漏极-源极导通电阻 | VGS = 10 V, ID = 200 mA 2.8 Ω |
    | 漏极-源极导通电阻 | VGS = 4.5 V, ID = 150 mA 3.1 Ω |
    | 前向跨导 | VDS = 10 V, ID = 100 mA 100 mS |
    | 二极管正向电压 | IS = 100 mA, VGS = 0 V 1.3 V |
    | 输入电容 | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 25 pF |
    | 输出电容 | 5 | pF |
    | 反向转移电容 | 2.0 | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 低阈值电压:典型值为2V,使得该MOSFET能够轻松被低压信号驱动。
    - 低输入电容:仅为25pF,可实现快速开关。
    - 高开关速度:开关时间为25ns,非常适合高速应用。
    - 低输入和输出泄漏:保证了在高频率应用中的稳定性能。
    - TrenchFET®技术:提供了更高的功率密度和更好的热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 直接逻辑电平接口:适用于TTL/CMOS电平的接口设计,减少对外部缓冲的需求。
    - 驱动电路:可用于驱动继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示器、存储器、晶体管等。
    - 电池供电系统:低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择。
    - 固态继电器:由于其开关速度快且可靠性高,适合用于固态继电器。
    使用建议:在选择驱动电路时,确保驱动电压不低于阈值电压,以避免不必要的能耗和发热。在高温环境下工作时,应关注散热问题,确保器件的正常工作温度范围。

    5. 兼容性和支持


    BSS138-NL-VB与多种电子设备和模块兼容,适用于大多数需要N沟道MOSFET的应用场合。厂商提供技术支持和售后服务,用户可以通过热线电话400-655-8788获得相关帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:开启时延迟时间较长。
    解决方案:检查输入信号频率是否过低,确保驱动信号满足MOSFET的门限要求。
    - 问题:在高温环境下工作不稳定。
    解决方案:考虑增加外部散热措施,如安装散热片或风扇,确保工作温度不超过最大限制。
    - 问题:导通电阻变大。
    解决方案:检查连接线是否有接触不良或电阻过大情况,确保电路连接良好。

    7. 总结和推荐


    综上所述,BSS138-NL-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低功耗、高开关速度和易于驱动的特点。其广泛的应用范围和出色的性能使其在现代电子设备中成为不可或缺的组件。强烈推荐在高速、低功耗的应用场景中使用BSS138-NL-VB。
    请注意,以上内容是根据提供的技术手册编写的概述,详细的技术参数和性能指标请参考完整的技术手册。

BSS138-NL参数

参数
Id-连续漏极电流 250mA
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 300mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1Ω@VGS = 4.5 V,ID = 150 mA
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BSS138-NL厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSS138-NL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BSS138-NL BSS138-NL数据手册

BSS138-NL封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.1196
库存: 946
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0.59
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336