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NTR4502PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -30V -5.6A 46mΩ@-10V SOT23-3
供应商型号: 11M-NTR4502PT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR4502PT1G

NTR4502PT1G概述

    NTR4502PT1G-VB P-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    NTR4502PT1G-VB 是一款P沟道30V(D-S)增强型MOSFET。它采用TrenchFET®技术制造,具备低导通电阻和高功率密度的特点。
    主要功能:
    该MOSFET具有优秀的热稳定性和低栅极电荷,适用于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等多种应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |
    | 漏源电压VDS | -30V | 最大值 |
    | 栅源电压VGS | ±20V | 极限值 |
    | 连续漏电流ID | -5A(TJ=150°C) | 极限值 |
    | 脉冲漏电流IDM | -18A | 极限值 |
    | 最大耗散功率PD | 2.5W(TA=25°C)
    1.6W(TA=70°C) | 极限值 |
    | 热阻RthJA | 75°C/W(最大值) | 极限值 |
    | 阈值电压VGS(th) | -0.5V至-2.0V |
    | 导通电阻RDS(on) | 0.046Ω(VGS=-10V, ID=-4A) | 典型值 |
    | 门极电荷Qg | 24nC(VDS=-15V, VGS=-5.4V, ID=-5.4A) |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.046Ω,提供高效能的电流传输。
    - 高可靠性:100% Rg测试确保产品质量。
    - 优化设计:低栅极电荷(Qg)和快速响应时间(td(on), td(off)),提升系统效率和可靠性。
    优势:
    - 广泛适用性:适用于多种负载开关、笔记本适配器和DC/DC转换器。
    - 高效能:低导通电阻保证在各种工作条件下都能实现高效的能量传输。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 移动计算设备:用于笔记本电脑电源管理。
    - 负载开关:在电源管理系统中作为高效能开关。
    - DC/DC转换器:提高电源转换效率。
    使用建议:
    - 在进行负载开关应用时,确保栅极驱动电压足够高以完全打开MOSFET,从而减少导通电阻。
    - 使用合适的散热方案,以避免由于过热而导致的性能下降或损坏。
    - 注意脉冲电流的应用限制,避免长时间超过极限电流。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的SOT-23和TO-236封装兼容。
    - 支持:NTR4502PT1G-VB提供官方的技术支持热线:400-655-8788,并且可以在官方网站www.VBsemi.com上查找更多技术文档和支持资料。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法正常开启 | 检查栅极驱动电压是否达到要求 |
    | 发热量大 | 选择合适的散热方案或增加外部散热器 |
    | 电流过载 | 降低工作电流或使用更好的保护电路 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    NTR4502PT1G-VB是一款高性能的P沟道30V MOSFET,以其出色的导通电阻和热稳定性著称。在多个应用场景中表现优异,适合用于移动计算设备和电源管理系统的构建。
    推荐:
    强烈推荐给需要高性能、可靠性和稳定性的应用场景。特别是在电源管理和负载开关中,该MOSFET可以显著提高系统的效率和可靠性。

NTR4502PT1G参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 6nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 5.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@10V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.295nF
最大功率耗散 2.5W
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTR4502PT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR4502PT1G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTR4502PT1G NTR4502PT1G数据手册

NTR4502PT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.276
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3000+ ¥ 0.209
6000+ ¥ 0.199
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