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IRLR3110ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRLR3110ZPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF概述

    # IRLR3110ZPBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    IRLR3110ZPBF-VB 是一款 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由 VBsemi 推出,专为高效率电源转换设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和出色的开关性能,适用于广泛的电源管理和工业控制领域。
    主要功能
    - 高电流能力:最大连续漏极电流高达 85A(TJ=25°C)。
    - 高电压支持:漏源击穿电压高达 100V。
    - 低功耗设计:热阻 RthJA 最小值仅为 40°C/W,适合小型化应用。
    应用领域
    - 开关电源:如 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器。
    - 负载开关:作为主侧开关用于隔离型拓扑结构。
    - 电机驱动:适用于低压大电流应用场合。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 100 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ± 20 V |
    | 连续漏极电流(TJ=25°C) | ID | 85 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 280 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 176 W |
    | 阻抗 RthJA | RthJA | 40 | 50 °C/W |
    | 工作温度范围 | Tj | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,大幅降低导通电阻,提高电流承载能力。
    2. 100% 测试:保证每个器件均通过栅极正向测试(Rg)及雪崩耐受测试(UIS)。
    3. 高可靠性:具备良好的过载保护能力,在高动态负载下表现稳定。
    市场竞争力
    - IRLR3110ZPBF-VB 凭借卓越的 RDS(on) 和出色的温度稳定性,非常适合需要高频高效转换的电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - AC/DC 转换器:该器件可用作初级侧开关,简化设计并提高效率。
    - 电动汽车充电器:利用其高电流承载能力和优异的开关速度,确保快速且安全的充电体验。
    使用建议
    1. 在高功率应用中,建议搭配散热片以进一步降低温升。
    2. 注意控制驱动电路中的栅极电阻 Rg,避免过高导致开关速度下降或过高的功率损耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRLR3110ZPBF-VB 支持多种标准封装(如 TO-252),可轻松集成到现有电路板设计中,与其他主流控制器芯片具有良好的兼容性。
    厂商支持
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官网支持:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 降低栅极电阻 Rg 的阻值。 |
    | 温度过高 | 增加外部散热装置,改善散热条件。 |
    | 导通电阻异常增大 | 确保 VGS 大于阈值电压,避免偏置不当。 |

    总结和推荐


    产品优势

    总结


    - 极低的导通电阻 RDS(on),典型值仅 0.0085Ω(VGS=10V, ID=20A)。
    - 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适合恶劣环境应用。
    - 出色的雪崩耐受能力,保障系统的稳定运行。
    综合评价与推荐
    IRLR3110ZPBF-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合高效率的开关电源和驱动模块设计。对于需要兼顾高效能和低成本的应用,这款器件无疑是最佳选择之一。因此,强烈推荐此款产品给电源管理领域的工程师和技术人员。
    联系客服:400-655-8788
    > 版权所有 © 2023 VBsemi Electronics Co., Ltd.

IRLR3110ZPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 176W
FET类型 2个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLR3110ZPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR3110ZPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR3110ZPBF IRLR3110ZPBF数据手册

IRLR3110ZPBF封装设计

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