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VBL1203M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-VBL1203M TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL1203M

VBL1203M概述

    VBL1203M Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBL1203M 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用表面贴装技术(Surface Mount),并可提供卷带式封装。该器件适用于各种电力转换应用,如开关电源、电机驱动和通信设备等。其关键特性包括无卤素设计、重复雪崩耐量和快速开关能力。

    2. 技术参数


    以下是VBL1203M的主要技术规格:
    - 基本参数
    - 额定电压 \( V{DS} \): 200 V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0~4.0 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.30 \(\Omega\) @ 10 V
    - 电性参数
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 10 A @ 25 °C, 6.7 A @ 100 °C
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 36 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 250 mJ
    - 最大重复雪崩电流 \( I{AR} \): 9.0 A
    - 最大重复雪崩能量 \( E{AR} \): 7.4 mJ
    - 开关特性
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 43 nC
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \): 9.4 ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(off)} \): 39 ns

    3. 产品特点和优势


    VBL1203M 的显著特点是:
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准。
    - 表面贴装:便于自动化生产和高密度组装。
    - 高可靠性:能够承受反复雪崩。
    - 快速开关:适用于高频应用。
    - 易于并联:便于系统设计时的多器件并联。
    - 低驱动要求:简化驱动电路设计。

    4. 应用案例和使用建议


    VBL1203M 广泛应用于各类电力转换设备中。例如,在开关电源中作为高压侧开关管,利用其高耐压能力和低导通电阻实现高效能转换。对于需要快速响应的应用,如电机驱动,可以利用其快速开关特性来减少损耗。
    使用建议:
    - 在应用中需注意散热设计,确保在高温环境下稳定工作。
    - 使用前进行充分的热仿真,选择合适的散热片或散热器。
    - 考虑并联使用多个器件时的均流问题,确保系统的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    VBL1203M 与市面上主流的驱动IC和控制系统兼容,支持各种电路布局。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、FAQ和售后咨询,以帮助客户顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过高的漏源电压尖峰。
    - 解决方案: 增加外部去耦电容,降低寄生电感的影响。
    - 问题: 在高温环境下,器件温度异常升高。
    - 解决方案: 改善散热设计,增加散热片面积或使用水冷等先进冷却方式。

    7. 总结和推荐


    总体而言,VBL1203M 是一款高度可靠、性能优异的功率MOSFET。其出色的电气特性和广泛的应用范围使其成为多种工业和消费电子应用的理想选择。强烈推荐在高压、高频电力转换系统中使用该器件。

VBL1203M参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@10V,370mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL1203M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL1203M数据手册

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