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VBZFB60N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.76Vth(V) 封装:TO251\n该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。
供应商型号: 14M-VBZFB60N03 TO-251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZFB60N03

VBZFB60N03概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET(型号:VBZFB60N03)是一款高性能的场效应晶体管,采用TrenchFET®工艺制造。其主要功能是作为开关或放大电路中的关键组件。这种MOSFET广泛应用于服务器、直流/直流转换器等领域,特别是在需要高效率、低功耗的应用场景中表现出色。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0V 至 2.5V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1 μA
    - 通态漏极电流 (ID(on)):90A
    - 通态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V时,0.0035 Ω
    - VGS = 4.5 V时,0.00 Ω
    - 反向转移电容 (Crss):170 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = 10 V时,171 nC 至 257 nC
    - VGS = 4.5 V时,81.5 nC 至 123 nC
    - 热阻 (RthJA):32 °C/W 至 40 °C/W
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):3000 pF
    - 输出电容 (Coss):710 pF
    - 上升时间 (tr):11 ns 至 17 ns
    - 下降时间 (tf):10 ns 至 15 ns
    - 开关延迟时间 (td(on), td(off)):根据VDD和RL的不同,分别在18 ns 至 27 ns 和 55 ns 至 105 ns 之间变化

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽工艺,保证了高可靠性和低损耗。
    - 100% Rg和UIS测试:确保了产品的质量和可靠性。
    - 符合RoHS标准:符合环保要求,适合广泛应用。
    - 高耐温范围:可承受-55°C至175°C的工作温度范围,适用于多种恶劣环境。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为0.0035 Ω(VGS = 10 V),显著降低了功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing应用:在服务器电源管理系统中,用于实现电源的无缝切换。
    - DC/DC转换器:在通信设备中作为核心功率转换器件,实现高效能的电源转换。
    使用建议
    - 散热设计:在高温环境下使用时,应考虑额外的散热措施,以确保稳定运行。
    - 驱动电路设计:建议使用合适的驱动电路,以确保MOSFET能够快速、准确地开关,从而提高系统效率。

    兼容性和支持


    - 封装形式:TO-251封装,便于表面安装。
    - 厂商支持:提供全面的技术文档和支持,包括产品选型指南和技术问答。
    - 兼容性:与市面上主流的电源管理芯片和控制器高度兼容,易于集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    问题一:产品过热
    解决办法:检查散热设计是否合理,增加散热片或使用散热风扇。
    问题二:驱动电压不匹配
    解决办法:确保驱动电压满足MOSFET的要求,必要时使用专用驱动IC。
    问题三:开关速度慢
    解决办法:检查驱动电路设计,增加驱动电阻或选择更合适的栅极驱动器。

    总结和推荐


    总体来看,N-Channel 30-V MOSFET(型号:VBZFB60N03)凭借其出色的性能参数、强大的耐用性和广泛的适用范围,在众多应用场景中表现出色。其高效率和低损耗的特点使其成为电源管理和转换系统的理想选择。因此,强烈推荐这款产品用于需要高性能和高可靠性的场合。

VBZFB60N03参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZFB60N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZFB60N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZFB60N03 VBZFB60N03数据手册

VBZFB60N03封装设计

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