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VBZMB7N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 14M-VBZMB7N65
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZMB7N65

VBZMB7N65概述

    # Power MOSFET VBZMB7N65 技术手册

    产品简介


    VBZMB7N65 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能应用而设计。它具备低导通电阻(Ron)和超低栅极电荷(Qg)等显著特性。这款器件广泛应用于服务器、通信电源、开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及各种照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。

    技术参数


    静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V (最大值)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.5V 至 5V
    - 栅源漏电流 (IGSS): ±100 nA (VGS = ±20V),±1 μA (VGS = ±30V)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 1Ω (最大值) (VGS = 10V,ID = 4A)
    - 输入电容 (Ciss): - (VGS = 0V,VDS = 100V,f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): -
    - 有效输出电容 (Co(tr)): -
    - 总栅极电荷 (Qg): 30nC (VGS = 10V,ID = 4A,VDS = 520V)
    动态特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): - (VDD = 520V,ID = 4A,VGS = 10V,Rg = 9.1Ω)
    - 上升时间 (tr): -
    - 关断延迟时间 (td(off)): -
    - 下降时间 (tf): -
    - 栅极输入电阻 (Rg): 3.5Ω (f = 1MHz,开路漏极)
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C): 100A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ
    - 最大功耗 (PD): 140W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    热阻抗
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): - (63°C/W)
    - 最大结至外壳(漏极)热阻 (RthJC): - (0.6°C/W)

    产品特点和优势


    VBZMB7N65 具备多种独特功能和优势,具体如下:
    - 低栅极电荷 (Qg):实现低功耗和高速开关操作。
    - 低输入电容 (Ciss):减少驱动电路的负载,提高效率。
    - 超低导通电阻 (RDS(on)): 减少导通损耗,提升整体效率。
    - 高可靠性: 经过严格的测试,保证在极端条件下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和通信电源: 高效能且可靠,适用于严苛的工业环境。
    - 开关电源 (SMPS): 高效转换电源,减少能源浪费。
    - 工业应用: 广泛用于工业控制系统和电机驱动。
    使用建议
    - 在设计中考虑降低杂散电感,使用接地平面以减少干扰。
    - 确保合理的栅极电阻选择,以优化开关时间和功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: VBZMB7N65 与其他标准TO-220封装的功率MOSFET高度兼容。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和技术文档。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题1: 开关过程中出现异常发热。
    - 问题2: 开启和关闭时间过长。

    解决方案
    - 问题1: 检查电路设计中是否有杂散电感过高,调整栅极电阻和驱动电路。
    - 问题2: 确认栅极驱动信号是否正确,适当增加栅极驱动能力。

    总结和推荐


    综上所述,VBZMB7N65 功率MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种关键应用领域。其卓越的低栅极电荷、低输入电容和超低导通电阻等特点使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用此器件。
    如有任何疑问或需要更多技术支持,请联系服务热线:400-655-8788。

VBZMB7N65参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZMB7N65厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZMB7N65数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZMB7N65 VBZMB7N65数据手册

VBZMB7N65封装设计

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