处理中...

首页  >  产品百科  >  FDS86242

FDS86242

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 150V 5.4A 80mΩ@10V SO-8
供应商型号: 14M-FDS86242
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS86242

FDS86242概述


    产品简介


    FDS86242-VB N-Channel MOSFET
    FDS86242-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极低的导通电阻(RDS(on))和开关损耗(Qgd)。它适用于多种应用场合,尤其是在电源转换器和驱动电路中作为主侧开关使用。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):150 V
    - 门源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(ID):5.4 A (TJ = 150 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):22 A (TC = 25 °C)
    - 最大功率耗散(PD):5.9 W (TC = 70 °C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):10 V, ID = 250 μA
    - 门源阈值电压(VGS(th)):1.2 V ~ 2.5 V
    - 门源泄漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 导通电阻(RDS(on)):0.080 Ω (VGS = 10 V, ID = 5 A)
    - 转移电导(gfs):23 S (VDS = 15 V, ID = 5 A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):735 pF (VDS = 50 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):160 pF
    - 反向传输电容(Crss):37 pF
    - 总门电荷(Qg):28.5 nC (VDS = 75 V, VGS = 10 V, ID = 5 A)
    - 开启延迟时间(td(on)):14 ns (VDD = 50 V, RL = 10 Ω, ID ≈ 5 A, VGEN = 10 V, Rg = 1 Ω)
    - 关断延迟时间(td(off)):22 ns (VDD = 50 V, RL = 10 Ω, ID ≈ 5 A, VGEN = 8 V, Rg = 1 Ω)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:FDS86242-VB 的导通电阻仅为 0.080 Ω (VGS = 10 V),这使得其在高电流应用中表现出色,降低了功率损耗。
    - 极低的开关损耗:其总门电荷(Qg)为 28.5 nC (VDS = 75 V, VGS = 10 V),保证了快速的开关速度和低损耗。
    - 可靠测试:100% 的 Rg 测试和 100% 雪崩测试确保了产品的可靠性和稳定性。
    - 环保标准:符合 RoHS 和 IEC 61249-2-21 标准,无卤素,适用于各种环保要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器:FDS86242-VB 在高频电源转换器中作为主侧开关,能够显著提高效率并减少发热。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,它可以用于高效地控制电机的启动和停止。
    使用建议
    - 散热管理:尽管该 MOSFET 具有较高的耐温能力,但在高功率应用中仍需考虑有效的散热措施,以确保长期稳定运行。
    - 门极电阻选择:根据具体的应用需求,合理选择门极电阻(Rg)可以进一步优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDS86242-VB 采用标准 SO-8 封装,易于与其他电子元器件集成,如其他 SO-8 封装的 IC。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和在线技术支持,帮助用户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何降低开关损耗?
    - 解决方案:通过优化门极电阻(Rg)和降低总门电荷(Qg)来实现。

    - 问题2:如何提高散热效果?
    - 解决方案:增加散热片或使用散热膏,确保良好的热传导。

    总结和推荐


    综合评估
    FDS86242-VB 是一款高性能、低损耗的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力电子应用。其低导通电阻和极低的开关损耗使其在电源转换器和电机驱动等领域表现优异。此外,其环保特性使其符合严格的环保标准。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐 FDS86242-VB 用于需要高效、可靠的电力转换和控制的应用场合。

FDS86242参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5.4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 150V
通道数量 -
栅极电荷 13nC@ 10V
最大功率耗散 5.9W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.735nF
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDS86242厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS86242数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDS86242 FDS86242数据手册

FDS86242封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.6682
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336