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FQP50N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-FQP50N06 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP50N06

FQP50N06概述

    FQP50N06-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP50N06-VB 是由台湾VBsemi公司生产的一款高性能N沟道MOSFET。这款产品具有175°C的高结温特性,适用于各种电力转换和驱动电路。FQP50N06-VB是采用TrenchFET®技术的功率MOSFET,主要应用于开关电源、电机控制、电源逆变器等领域。

    技术参数


    - 基本特性
    - 结温范围:-55°C 至 175°C
    - 封装形式:TO-220AB
    - 主要电气特性见下表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 电源漏极-源极电压 | VDS | 60 V |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | 1 250 | µA |
    | 饱和状态下的漏极电流 | ID(on) | 60 A |
    | 饱和状态下漏极-源极电阻 | RDS(on) | 0.011 0.018 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 420 pF |
    | 输出电容 | Coss | 570 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 325 pF |
    - 热特性
    - 热阻抗(RthJA):40 °C/W (最大值)
    - 热阻抗(RthJC):0.85 °C/W (最大值)

    产品特点和优势


    - 高温稳定性:能够承受高达175°C的结温,适合恶劣环境下的应用。
    - 高电流能力:连续漏极电流可达60A,峰值电流可达200A。
    - 低导通电阻:典型导通电阻为0.011Ω,可有效减少功耗。
    - 快速开关特性:反向恢复时间较短,适合高频开关应用。
    - 高可靠性:采用先进的TrenchFET技术,提高产品的可靠性和使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:FQP50N06-VB作为开关管,在高效率的DC-DC转换器中广泛应用。
    - 电机驱动:由于其较高的电流承载能力和快速开关特性,适用于电机的驱动控制。
    - 逆变器:适用于需要高效率和高频运行的电源逆变器系统。
    使用建议
    - 在选择散热片时,确保散热片面积足够大,以减小热阻并避免过热。
    - 注意栅极驱动电阻的选择,以确保MOSFET在开关过程中的稳定性和可靠性。
    - 对于高频应用,需考虑输入电容Ciss的影响,适当增加旁路电容。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQP50N06-VB与其他标准TO-220AB封装的MOSFET具有良好的兼容性。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和服务,包括详细的使用手册、应用指南和客户服务热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时,温度上升过快。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片的尺寸或使用散热风扇。

    2. 问题:开关过程中出现振荡现象。
    - 解决方案:在栅极添加适当的RC滤波电路,优化驱动信号的设计。

    总结和推荐


    FQP50N06-VB 是一款出色的N沟道MOSFET,适用于多种高要求的电力应用。其高可靠性、优良的热管理和强大的电流承载能力使其在市场上具有较强的竞争力。通过优化散热设计和驱动信号,可以进一步提升其性能。因此,强烈推荐在电力转换和驱动电路中使用FQP50N06-VB。

FQP50N06参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.2nF
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 136W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
栅极电荷 41nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQP50N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP50N06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP50N06 FQP50N06数据手册

FQP50N06封装设计

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型号 价格(含增值税)
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