处理中...

首页  >  产品百科  >  NTTFS5820NLTAG

NTTFS5820NLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,15A,RDS(ON),15mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V);DFN8(3X3)
供应商型号: 14M-NTTFS5820NLTAG QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTTFS5820NLTAG

NTTFS5820NLTAG概述

    # NTTFS5820NLTAG-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTTFS5820NLTAG-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET(TrenchFET®),适用于各种电力转换应用。该器件能够在高达 175°C 的结温下正常工作,展现出优异的热稳定性和可靠性。本产品主要用于开关电源、电机驱动、汽车电子等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 175°C) | ID | 13 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 100 | A |
    | 持续源极电流 | IS | 50 | A |
    | 单次雪崩电流 | IAS | 50 | A |
    | 雪崩能量(脉冲宽度≤300 µs,占空比≤2%) | EAS | 125 | mJ |
    | 最大功率耗散(TC = 25°C) | PD | 136 | W |
    热阻参数
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 最大结到环境热阻(t ≤ 10 s) | RthJA | 15 | 18 | °C/W |
    | 结到外壳热阻 | RthJC | 0.85 | 1.1 | °C/W |
    特性规格(TJ = 25°C)
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏-源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 60 V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 µA | 123 V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 20 A | 0.010 | 0.013 | 0.016 | Ω |

    产品特点和优势


    NTTFS5820NLTAG-VB 主要特点如下:
    - 高耐温性:能够承受高达 175°C 的结温,确保在极端环境下的稳定性。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 下,RDS(on) 可达到 0.010Ω,在 VGS = 4.5 V 下,RDS(on) 可达到 0.013Ω,保证高效的功率转换。
    - TrenchFET® 技术:通过采用先进的 TrenchFET® 技术,实现更低的导通电阻和更好的开关特性。
    - 高可靠性和耐用性:严格的热设计和电气特性测试确保了长期的使用寿命和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTTFS5820NLTAG-VB 广泛应用于开关电源、电机驱动器、工业控制设备和汽车电子系统中。例如,在开关电源中,它可以用于提高转换效率和减小散热需求;在电机驱动中,它可以提供更稳定的电流输出和更高的工作效率。
    使用建议
    - 在使用过程中,需要特别注意散热管理,确保器件的结温不超过 175°C。
    - 建议选择合适的 PCB 布局,以最大限度地降低热阻。
    - 根据负载特性调整栅极驱动信号,避免过高的栅极电压导致器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可广泛兼容其他标准的电源管理和控制电路,易于集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和客户支持服务,帮助用户快速解决技术问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:长时间运行后结温过高。
    解决办法:增加散热片或优化 PCB 布局,以改善热传导。

    2. 问题:驱动信号不稳定导致导通不良。
    解决办法:使用专用的 MOSFET 驱动芯片,如 UCC27211 或 TC4420,确保驱动信号稳定。

    3. 问题:噪声干扰影响电路稳定性。
    解决办法:在电路中加入 RC 滤波器,减少外界干扰。

    总结和推荐


    NTTFS5820NLTAG-VB 以其出色的电气特性和高可靠性,在多种应用场景中表现出色。特别适合需要高耐温性和高效能转换的应用场合。我们强烈推荐该产品给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。
    以上为 NTTFS5820NLTAG-VB 的详细介绍,希望对您有所帮助。如需更多技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

NTTFS5820NLTAG参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 136W
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V,8.4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.65nF@25V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 47nC
Id-连续漏极电流 15A
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTTFS5820NLTAG厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTTFS5820NLTAG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTTFS5820NLTAG NTTFS5820NLTAG数据手册

NTTFS5820NLTAG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7878
库存: 100
起订量: 5 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.93
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336